兴福电子申请钨蚀刻液相关专利

来源：新浪证券-红岸工作室

4月9日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液”的专利。申请公布号为CN121802420A，申请号为CN202511792228.3，申请公布日期为2026年4月7日，申请日期为2025年12月1日，发明人钟博文、冯凯、王震、叶瑞，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师王玉芳，分类号C23F1/26。

专利摘要显示，本发明提供一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液，该蚀刻液包括按质量分数计的以下成分：1%‑10%的氧化剂、0.1%‑5%的多羧酸或氨羧酸类有机络合剂、0.5%‑2%的蚀刻速度调节剂、1%‑10%的酸性pH调节剂，用于将pH值控制在1‑4。其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液，能够使得钨与三氧化钨的蚀刻速率比维持在（0.8‑1.2）:1，实现近似1:1的等速蚀刻，可有效消除W表面氧化层引起的速率差异、形貌不均与氧化残留问题，获得表面光滑、界面电阻低的蚀刻效果，适用于高纵深比结构的精密加工。

兴福电子成立于2008年11月14日，于2025年1月22日在上海证券交易所上市，注册地址位于湖北省宜昌市，办公地址也在湖北省宜昌市。该公司是国内湿电子化学品领域的领先企业，产品技术先进，具备全产业链优势。

兴福电子所属申万行业为电子 - 电子化学品Ⅱ - 电子化学品Ⅲ，属于中芯国际概念、电子化学品、磷化工概念板块。公司目前主要从事湿电子化学品的研发、生产和销售，产品涵盖电子级磷酸、硫酸等通用化学品及蚀刻液等功能化学品。

2025年，兴福电子实现营业收入14.75亿元，在行业6家公司中排名第5，远低于第一名鼎龙股份的36.6亿元和第二名光华科技的29.64亿元，也低于行业平均数23.7亿元和中位数23.57亿元。

其主营业务构成中，通用湿电子化学品收入10.93亿元，占比74.13%；功能湿电子化学品2.45亿元，占比16.59%。净利润方面，2025年为2.06亿元，行业排名第3，低于第一名鼎龙股份的7.96亿元和第二名上海新阳的3.01亿元，高于行业中位数1.78亿元，但低于平均数2.81亿元。

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳2一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪3一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴4一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波5一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍6一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超7先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超8一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东9一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航10一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银11一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊12一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕13一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞14一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东15长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽16一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪17一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋18一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法发明专利公布CN202511779494.22025-11-28CN121732518A2026-03-27陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰19一种选择性氮化钛蚀刻液发明专利公布CN202511765268.92025-11-27CN121736756A2026-03-27杨俊伟、尹印、万杨阳、路明20一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511764914.X2025-11-27CN121736757A2026-03-27余建平、尹印、杨俊伟、叶瑞21一种强络合铜废水的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511732820.42025-11-24CN121470717A2026-02-06张宗萍、钟昌东、李文飞、欧阳克银22一种羟基磷灰石-氧化铈复合材料的制备方法及化学机械抛光液发明专利公布CN202511732814.92025-11-24CN121651303A2026-03-13邹哲敏、贺兆波、罗月、刘文戈23一种非离子型萘酰亚胺光酸衍生物及其应用发明专利公布CN202511732818.72025-11-24CN121698806A2026-03-20粟鹏、周钢翔、吴翔、崔会东24一种电子级复合包装桶及制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511722214.42025-11-21CN121404647A2026-01-27王洪杨、邹磊、杨着、周小龙25一种磺酸肟酯类光致产酸剂制备方法及用途发明专利公布CN202511721181.12025-11-21CN121673260A2026-03-17胡聪、周钢翔、吴翔、叶瑞26一种用于TGV玻璃通孔蚀刻的BOE溶液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511712184.92025-11-20CN121494345A2026-02-10董攀飞、张庭、贺兆波、李金航27一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511712181.52025-11-20CN121780168A2026-04-03班昌胜、冯凯、李飞、李素云28一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511711837.12025-11-20CN121780170A2026-04-03李飞、冯凯、班昌胜、王书萍29一种膜分离耦合离子交换树脂的电子级磷酸制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511702497.62025-11-19CN121493891A2026-02-10胡杜娟、姜飞、贺兆波、陶瑞30高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法发明专利公布CN202511703236.62025-11-19CN121780169A2026-04-03李素云、冯凯、李飞、严凡31一种用于不同锗含量SiGe叠层的高选择比蚀刻液及使用方法发明专利公布CN202511703434.22025-11-19CN121780167A2026-04-03臧洋、尹印、余迪、马瑞32石英蚀刻液及其蚀刻方法发明专利公布CN202511703242.12025-11-19CN121780171A2026-04-03杨翠翠、张庭、武昊冉、蒲帅33高选择性的钛硅氮/氮化钛蚀刻液发明专利公布CN202511694499.52025-11-18CN121699612A2026-03-20严凡、冯凯、贺兆波、王勇军34超临界二氧化碳协同清洗电子级槽车系统与方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511684696.92025-11-17CN121491102A2026-02-10李少平、刘洋、杨着、郭岚峰、汪鳙35用于抑制金属钛蚀刻的蚀刻液及应用发明专利公布CN202511684488.92025-11-17CN121699614A2026-03-20蒲帅、张庭、董攀飞、李金航36一种电子级HCl纯化系统及纯化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665017.32025-11-13CN121493870A2026-02-10吴春元、贺兆波、杨着、蔡俊霄37一种高稳定性、高致密性的化学镀磷钯液及其制备方法和应用发明专利公布CN202511655928.82025-11-12CN121653626A2026-03-13杨铭、秦祥、李文飞、王蝶38一种二氧化硅和钛的高选择性蚀刻液发明专利公布CN202511647087.62025-11-11CN121652807A2026-03-13武昊冉、张庭、李金航、许真、董攀飞39一种Micro LED用去胶液及其制备方法发明专利公布CN202511647088.02025-11-11CN121674161A2026-03-17黄锣锣、贺兆波、欧阳克银、钟昌东40一种用于金属钌的蚀刻后清洗剂及其制备方法发明专利公布CN202511637878.02025-11-10CN121653670A2026-03-13王亮、贺兆波、谢建、吴政41一种钼铟镓锌氧化物选择性蚀刻液发明专利公布CN202511637879.52025-11-10CN121718349A2026-03-24苏张轩、贺兆波、冯凯、严凡42一种高熔点电子级有机胺的提纯方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511628761.62025-11-07CN121517305A2026-02-13王荣、贺兆波、欧阳克银、吴昊43一种碳化有机物清洗液发明专利公布CN202511628981.92025-11-07CN121652892A2026-03-13李少平、万杨阳、尹印、张庭44一种肼二羧酸酯改性二氧化铈磨料的合成方法发明专利公布CN202511628760.12025-11-07CN121674030A2026-03-17陈钰坤、贺兆波、崔会东、罗月45一种适用于凸点工艺的剥膜液发明专利公布CN202511611041.92025-11-05CN121657382A2026-03-13李少平、郑秋曈、欧阳克银、钟昌东、张演哲46一种IGZO和IZO的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511602693.62025-11-04CN121674068A2026-03-17李少平、余建平、贺兆波、尹印47一种可选择性蚀刻高锗含量硅锗的蚀刻液发明专利公布CN202511602697.42025-11-04CN121674065A2026-03-17李少平、马瑞、贺兆波、尹印48一种去除多晶硅假栅的蚀刻液发明专利公布CN202511602859.42025-11-04CN121674066A2026-03-17贺兆波、余迪、尹印、臧洋、马瑞49整平剂及铜电镀液发明专利公布CN202511570239.72025-10-30CN121718941A2026-03-24郭岚峰、贺兆波、叶瑞、杨着、汪泳50一种电子级包装桶插管配件的横向自动组装装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511551087.62025-10-28CN121447400A2026-02-03贺兆波、王洪杨、邹磊、周小龙、杨着

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