北京
来源：市场资讯
（来源：今日半导体）
今日，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约仪式顺利举行，正式落户城厢镇。这一重磅项目的落地，将为城厢镇乃至区域产业版图注入全新动能，成为推动高端制造业发展的重要引擎。
该项目计划总投资达20亿元，其中一期项目总投资10亿元。项目聚焦化合物半导体光芯片领域，以高起点规划、高标准建设为目标，旨在打造技术领先、产能充足的专业化制造基地，建成后将有力助推区域产业能级提升，为未来产业发展筑牢坚实基础。
市委书记陈羔、上海三菲半导体有限公司董事长杨军共同见证了项目签约。这一环节不仅体现了地方政府对高端产业项目的高度重视，也彰显了企业对城厢镇投资环境的充分认可，政企携手为项目顺利推进奠定了良好开局。
上海三菲半导体有限公司成立于2002年，历经多年发展，已构建起涵盖光芯片、电芯片、算法的核心技术体系。企业专注于模拟光和相干光的光电一体化解决方案，凭借深厚的技术积累和市场洞察力，在行业内树立了良好口碑，具备较强的核心竞争力。
为进一步拓展业务规模、扩大产能供给，三菲半导体布局城厢镇打造该制造基地。项目主要从事InP激光器和光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造，将围绕外延生长、光芯片制造、光电融合关键环节，打造一体化产业链，实现从核心技术研发到规模化生产的全链条覆盖。
一期项目预计今年8月开工建设，2028年正式投产运营。达产后，项目可实现年产值超10亿元，将有效带动区域就业、促进产业集群发展，为城厢镇经济高质量发展注入持续活力，助力地方产业结构优化升级。
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