北京
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国家知识产权局信息显示，北京智慧能源研究院;国网湖北省电力有限公司电力科学研究院申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121815723A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制备方法。该方法通过对包括二氧化硅层和硼磷硅酸盐玻璃层的图案化氧化层进行回流处理，可以将接触孔位置的拐角变得平滑，消除金属层淀积的几何障碍，为金属层的均匀淀积奠定基础。同时，采用反溅射和初级金属层的循环处理，促进金属层沿孔壁的均匀淀积，有效解决高深宽比的接触孔由于提前封孔而出现的金属层存在空洞和缝隙的问题，进而有效提高金属层的厚度均匀性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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