第三代半导体3项标准最新进展 涉碳化硅/硅基氮化镓

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（来源：第三代半导体产业）

4月3日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过三项团体标准立项建议。

1.《碳化硅晶锭激光剥离减薄设备通用技术规范》立项

该标准由中国电子科技集团第二研究所牵头提出，联合北京中电科电子装备有限公司、河北同光半导体股份有限公司、中国科学院西安光学精密机械研究所、广东国志激光技术有限公司、西北工业大学等单位。面向行业内存在的技术术语不统一、性能评价方法不一致等问题，描述了用于碳化硅晶锭切片的激光剥离减薄设备的通用规范，包括专用术语定义、设备组成和功能、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。本文件适用于利用激光改质系统非接触式诱导内部裂纹，进而通过剥离分片系统将SiC晶片从SiC晶锭上分离，并使用减薄系统完成表面磨削加工的设备，设备可用于加工导电型SiC单晶、半绝缘型SiC单晶、光学应用的SiC单晶。

2.《SiC同质外延工艺过程质量控制规范》立项

该标准由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出，联合北京智慧能源研究院、瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司、杭州海乾半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司等单位。本文件规定了650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用外延材料工艺过程中的原材料准备、工艺生长、检验检测等。本文件适用于650 V～15 kV SiC MOSFET和SBD用外延材料的生产、工艺过程质量控制、检验和交付依据。

3.《硅基氮化镓外延片射频损耗评估及测试方法》立项

该标准由中国电子科技集团第五十五研究所牵头提出，联合中国电子科技集团第五十五研究所、南京国博电子股份有限公司、西北工业大学、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京大学等单位。本文件描述了硅基氮化镓外延片射频损耗的测试方法。本文件适用于硅基（4英寸、6英寸、8英寸）AlGaN/GaN外延材料，衬底晶向包括Si(111)、Si(110)、Si(100)，外延层包含AlN/AlGaN缓冲层、GaN沟道层、势垒层等。测试频率范围为10 MHz～40 GHz。

CASA秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。