三星无惧“内存崩盘”恐慌：一季度价格翻倍后二季度再调涨三成

三星近期再次上调内存产品报价，在2026年第二季度平均涨价约30%，而就在此前的2026年第一季度，其内存平均价格同比已经实现约100%的涨幅，显示出这家行业巨头对所谓“DRAM价格崩盘”论调并不买账。来自韩国媒体《电子新闻》的消息称，三星目前对多类DRAM产品实施季度环比约三成的加价策略，这些产品既包括用于人工智能的高带宽内存（HBM），也涵盖服务器、PC以及智能手机所采用的通用DRAM。

以一个简单例子来说明：如果一条三星DRAM在2025年初的价格为1万韩元，那么到了2026年第一季度已涨至2万韩元，如今第二季度则进一步升至2.6万韩元。

在此背景下，市场此前盛传的“DRAM现货价回落将引发行业全面崩盘”的观点，与龙头厂商的定价行为形成鲜明反差。近期DRAM现货价格的确出现过温和下调，引发投资者情绪剧烈波动，相关企业股价也一度承压，但包括三星在内的主要供应商对产能和报价依然保持相对克制和坚定，反而借机继续推动合约价上行。业内人士预计，既然三星已率先抬价，另一家大厂SK海力士以及美国厂商美光也大概率会跟进，将通用DRAM的价格体系整体推向更高水平，从而刺破“价格即将崩盘”的市场预期。

需要指出的是，当前价格承压的主要是上一代DDR4芯片，其下行更多源于渠道库存过高被“恐慌性清仓”，而非终端需求系统性塌陷。市场调研机构DRAMeXchange的统计显示，截至3月底，用于PC的DDR4 8Gb DRAM固定合约价环比整体维持持平，尚未出现趋势性明显下跌。这意味着，尽管部分旧品被低价出清，但在合约市场，主流DRAM的议价权仍掌握在几大供应商手中，价格结构尚未瓦解。

在智能手机领域，内存涨价压力正进一步放大整机成本问题。分析机构SemiAnalysis的报告指出，LPDDR5合约价目前约为每GB 10美元，相较2025年第一季度已经实现约三倍的涨幅，并且预计到2027年还将迎来新一轮两位数百分比的上调。与此同时，智能手机物料成本结构正被内存与闪存快速重塑：以入门级机型为例，DRAM成本目前已占整机物料清单（BOM）的约35%，NAND闪存则贡献约19%，两项合计占比高达54%，成为压缩厂商利润空间的关键因素。

在合约模式方面，三星也在调整对自家手机业务的供货策略，以优先保障利润率。报道提到，三星拒绝了原本足以覆盖一年以上需求的内部DRAM供货请求，改为采用按季度签署、为期三个月的短期合约方式，以便根据市场行情更灵活地调整价格。在AI算力、云计算以及高端移动设备需求支撑下，三星显然相信当前内存市场的供需格局足以支撑其“节奏性加价”，而非如部分投资者担忧的那样即将步入全面价格崩盘周期。