国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(广东)有限公司申请一项名为“改善划片损伤的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN121793533A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本公开提供了一种改善划片损伤的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层,所述外延层上相邻两个侧壁的交接处具有第一倒角,所述第一倒角的半径为18μm至26μm。本公开能改善激光划裂时容易导致发光二极管出现局部崩伤的问题,提升发光二极管的划裂良率与可靠性。
天眼查资料显示,京东方华灿光电(广东)有限公司,成立于2022年,位于珠海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(广东)有限公司参与招投标项目31次,专利信息100条,此外企业还拥有行政许可111个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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