北京
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“改善划片损伤的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121793533A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善划片损伤的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层，所述外延层上相邻两个侧壁的交接处具有第一倒角，所述第一倒角的半径为18μm至26μm。本公开能改善激光划裂时容易导致发光二极管出现局部崩伤的问题，提升发光二极管的划裂良率与可靠性。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目31次，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可111个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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