铠侠"双轴战略"的背后：NAND原厂如何应对AI存储需求分化？

2026年3月的深圳，CFMS |MemoryS 2026中国闪存市场峰会以"穿越周期·释放价值"为主题，汇聚了全球存储产业链的核心力量。峰会现场，芯师爷采访了部分存储厂商，本文为采访系列文章第2篇，存受访企业为铠侠。

2026年3月，深圳CFMS | MemoryS 2026峰会现场，铠侠展台上，三枚晶圆并列陈列——第八代、第九代、第十代BiCS FLASH，三代产品首次同台亮相。这一极具象征意义的布置，宣告了一场静默革命的开启。

"第九代BiCS FLASH与第十代BiCS FLASH进行的是双轨并行的策略。"当外界沉迷于332层这个数字时，铠侠正在打破存储行业信奉了二十余年的"摩尔定律式"迭代逻辑。这不是对技术进步的背离，而是一场关于"何为进步"的重新定义。

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层数竞赛的"不可能三角"

要理解这场革命的必然性，需要先看清产业正在陷入的困局。

NAND Flash的层数竞赛曾是最纯粹的工程游戏。从2007年东芝（铠侠前身）推出首款BiCS三维闪存，到2024年三星量产286层V9、SK海力士推出321层4D NAND，层数提升始终是技术进步的核心指标。但这场竞赛的边际成本正在急剧攀升。

根据ISSCC 2025披露的技术细节，当3D NAND迈向300层以上，单层晶圆的厚度与刻蚀深度已逼近物理极限。超过200层后，单晶圆无法承载更高堆叠结构，必须通过两片晶圆键合实现层数翻倍——这意味着单位产品所需的300mm半导体硅片数量直接翻倍。更严峻的是，先进刻蚀设备的精度要求、更长工艺时间带来的良率风险、以及每代新工艺动辄数十亿美元的研发投入，让"逐代替代"模式的投资回报率持续恶化。

"今后将采取双轴发展战略。满足尖端应用的高级需求保持最佳投资效率的同时，开发并向市场推出具有竞争力的产品。"铠侠将"投资效率"与"技术性能"并列为战略轴心，原因是单纯堆叠层数，正面临性能、成本、良率的"不可能三角"。

这不是铠侠一家之困。2025年，三星因良率问题推迟286层V9量产，美光在232层节点徘徊数年后才跃升至276层，行业集体陷入"高投入、高风险、高不确定性"的泥沼。层数竞赛的尽头，可能不是技术的胜利。

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双轴战略：技术模块化的商业实验

铠侠的解法，是将技术迭代从"单轴线性"转向"双轴并行"。这一战略在CFMS 2026上，铠侠通过演讲、展台展示以及在媒体采访等多种方式呈现。

第一轴：BiCS 10——层数竞赛的"守正"。第十代BiCS FLASH™追求存储密度和性能的全新突破，通过层数和架构大幅优化，满足AI数据中心对低延迟、高性能和超大容量的需求。这是传统路线的延续，但铠侠为其注入了新的技术内涵——采用CBA（CMOS Bonded Array）技术，将存储阵列与CMOS控制电路分离制造后键合，既解决了高层数带来的电路复杂度问题，又为"技术模块化"埋下伏笔。

第二轴：BiCS 9——投资效率的"出奇"。这是双轴战略的真正创新所在。第九代BiCS FLASH™不追求最高层数，而是"利用成熟的产能和先进的接口融合，提供可靠、稳定供货的存储解决方案"。具体而言，它采用成熟的存储单元技术，但搭配最新一代的CMOS逻辑电路，通过"旧瓶装新酒"的组合，在折旧产线上生产具备竞争力的新品。

这种"技术模块化"思维，彻底打破了"新代际必须全面替代旧代际"的行业惯例。三代产品将长期并行，各自瞄准不同的需求切片：BiCS 10服务追求极致性能的数据中心，BiCS 9满足性价比敏感的企业级存储，BiCS 8则是当下的明星产品，广受消费级和企业级市场好评。

更具深意的是，这种架构为"投资效率"提供了数学上的最优解。先进CMOS工艺的研发成本呈指数级攀升，但存储阵列的制程演进相对缓慢。通过CBA技术将二者解耦，铠侠可以用最新CMOS提升性能，同时用成熟存储阵列控制成本——这不是妥协，而是对"摩尔定律失速"的精准对冲。

展会上，这一战略已转化为具体的产品矩阵。基于第八代BiCS FLASH QLC的LC9系列SSD，通过32 Die堆叠封装实现了245.76TB的业界领先容量；而即将推出的BiCS 10产品，则将瞄准AI数据中心对低延迟的苛刻需求。两代技术，两种定位，共同构成铠侠对企业级市场的全覆盖。

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从"后备仓库"到"算力加速器"：双轴战略的产品落地

双轴战略的颠覆性，不仅在于技术路线，更在于其对存储角色定位的重新定义。在CFMS 2026的主题演讲中，铠侠SSD首席技术执行官福田浩一提出了一个鲜明判断："AI算力不断升级，NAND已经成为提升AI算力的关键部件。"

这一判断正在转化为产品现实。展会期间，铠侠发布了Super High IOPS SSD——GP系列，基于XL-FLASH打造，符合NVIDIA Storage-Next需求场景，以1亿IOPS以上的表现，满足未来对速度更为苛刻的AI计算需求。评委会的颁奖词极具象征意义："当GPU直连闪存成为现实，铠侠依托XL-FLASH存储类内存技术，让SSD成为HBM的容量扩展载体，引领闪存产品从AI数据'后备仓库'走向AI算力的加速器。"

这一转变的核心，是对AI推理存储需求的精准捕捉。传统AI架构中，存储是GPU的"缓存附庸"；但在长上下文（Long Context）技术崛起的今天，KV Cache（键值缓存）数据量呈指数级膨胀，HBM和DRAM的容量已"大到放不下"。铠侠发布的CM9 CMX产品，正是瞄准这一痛点——针对AI工作负载优化，具备高性能、大容量和更好的耐久性，适用于AI的大规模推理环境。

更具战略意味的是AiSAQ开源软件技术。这项技术并非实体硬件，而是针对向量数据库和RAG场景优化的算法库，通过创新的数据布局算法，将传统上必须加载到昂贵DRAM中的向量索引数据，高效存储于SSD中。目前铠侠AiSAQ已经与NVIDIA cuVS展开合作，探索GPU加速索引构建和超大规模RAG解决方案的更多可能。

从GP系列的"算力加速器"，到CM9 CMX的"KV Cache扩展"，再到AiSAQ™的"算法层创新"，铠侠正在构建一个完整的AI存储生态。而这一生态的硬件基础，正是双轴战略提供的灵活技术供给——BiCS 10支撑极致性能需求，BiCS 9帮助企业提高投资效率，两代技术共同服务于AI时代的多元化场景。

双轴战略的深层逻辑，还体现在铠侠的供应策略上。

当前存储市场正处于"十年一遇"的卖方市场。AI数据中心需求爆发，导致企业级存储价格涨幅远超消费级，大量产能被转向数据中心建设，消费级产品供应紧俏。在这一背景下，行业普遍存在"押注单一应用"的冲动——将资源极端集中于高溢价的数据中心市场，获取短期利润最大化。

但铠侠选择了克制。"铠侠不会将重点放在一个极端的应用上，而是在生产和销售产品时考虑到整体平衡。"这一表述在媒体采访中被反复强调。双轴并行的架构，为这种平衡提供了制度性保障：BiCS 9的"成熟产能"可以灵活调配，既满足数据中心的需求增长，又不放弃消费电子市场的长期根基。

这种克制源于对技术生命周期的深刻理解。三代产品并行的架构，使铠侠能够"根据市场增长情况增加产量，并通过监测应用需求趋势和平衡来优化销售组合"。

更具前瞻性的是对端侧AI的布局。铠侠在展会上展示了UFS 5.0产品线，理论有效连续读写带宽达到10.8 GB/s，首次让UFS产品跨入10 GB/s时代。高管预判："随着LLM的发展，UFS需要快速的顺序读取性能。我们预计UFS 5.0将从今年开始逐步采用。"这一布局暗示，双轴战略不仅覆盖企业级市场，也为消费级市场的AI化升级预留了技术空间。

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铠侠的双轴战略，本质上是一场关于"技术进步"的重新定义。

在存储行业的黄金年代，"进步"是线性的：层数增加、密度提升、成本下降，一切都可以用数字量化。但当物理极限逼近、投资回报率恶化、需求结构分化，这种线性进步观正在失效。

"比特密度的提升、CMOS技术的进步、功耗的优化，这些技术的融合才是关键。"NAND性能提升，不再是单一指标的极致，而是多维度约束下的最优解；不再是代际间的替代，而是代际间的共存与协同；不再是技术的自我实现，而是技术与商业的动态平衡。

CFMS 2026的展台上，三枚晶圆并列陈列的画面，成为这一新进步观的视觉隐喻。它们不是新旧交替的见证，而是多元共生的宣言。在摩尔定律失速的时代，架构定义权正在取代制程领先性，成为竞争的核心。

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