北京
国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为“封装结构”的专利，公开号CN121772781A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种封装结构，封装结构包括：至少1层重布线层；导电插塞层，导电插塞层与重布线层电连接；金属凹槽，金属凹槽位于导电插塞层内，或者金属凹槽由导电插塞层和其中1层重布线层围合构成；位于金属凹槽内的预处理芯片；至少1个主芯片，主芯片分别与预处理芯片和重布线层键合连接。通过将预处理芯片嵌入金属凹槽内，能够实现封装体积的显著缩减。利用金属材料的导热特性将预处理芯片产生的热量直接传导散发，突破传统塑封层包覆导致的散热瓶颈，适用于功率器件等对散热要求严苛的芯片整合场景，显著提升功率器件的热管理能力，确保预处理芯片在有限空间内稳定可靠运行，为高性能和高集成度系统设计提供兼顾尺寸优化与热性能保障的有效解决方案。
天眼查资料显示，通富微电子股份有限公司，成立于1994年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本151759.6912万人民币。通过天眼查大数据分析，通富微电子股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息998条，此外企业还拥有行政许可55个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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