北京
国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“氮化物单晶生长期间氮源溶解量的原位检测系统和方法”的专利，公开号CN121762740A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开一种氮化物单晶生长期间氮源溶解量的原位检测系统和方法，原位检测系统包括：第一气体输出单元、单晶生长单元、气相色谱分析单元和数据采集与处理单元；单晶生长单元与第一气体输出单元连接，其利用第一气体提供的氮源生长氮化物单晶；气相色谱分析单元连接于单晶生长单元的尾气排出端，输出不同时刻下未发生反应的第一气体的第一组TCD峰面积数据；数据采集与处理单元根据第一组TCD峰面积数据，确定在生长氮化物单晶期间不同时刻下未发生反应的第一气体的目标浓度值，以及根据目标浓度值，确定液相法生长氮化物单晶过程中第一气体对应的氮源溶解量。能够对液相法生长氮化物单晶过程中氮源溶解行为进行原位追踪并有助于分析最优工艺。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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