EUV光刻机，不够卖了

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2026年3月下旬，在EUV设备领域，半导体行业投下了一颗震动全球供应链的深水炸弹：SK海力士（SK hynix）正式宣布，将向荷兰巨头ASML订购价值约80亿美元（11.9万亿韩元）的极紫外（EUV）光刻设备。

与此同时，马斯克正在推进的野心勃勃的“Terafab”项目，也开始试图跨越传统产业分工，将先进制程纳入核心能力版图，也是潜在EUV设备的购买者。

除了这些新的需求外，先进制程逻辑代工厂如台积电、三星、英特尔仍在围绕2nm及以下节点持续加码，将EUV视为维持制程领先的标配。三星已组建专门1nm研发团队，预计2029年前后量产，内部叫“Dream Process（梦想工艺）”，明确需要High-NA EUV。

在这场名为算力的盛宴上，ASML是唯一的厨师。而现在，门外的食客已经排到了2028年，且每个人的盘子都越换越大。EUV，真的不够卖了。

80亿美元，

一场锁定未来的“船票”之争

3月24日，SK海力士在一份监管文件中表示，将购买价值 11.95 万亿韩元（大约79.7亿美元）的ASML EUV光刻设备，预计将在2027年12月31日前采购相关设备，用于新产品的量产。伯恩斯坦公司的分析师大卫·道估计，该订单代表着两年内新增30台EUV设备，略高于他之前预测的26台。

80亿美元买30台机器，这在十年前的存储行业是不可想象的。但在这个2026年的时间节点，这只是AI竞赛的起步价。

为什么SK海力士敢在此时抛出80亿美元的豪赌？答案可能藏在它即将在美国进行的144亿美元巨额IPO中。

SK海力士不再把自己看作一个受行业周期波动影响的内存厂，而是一个AI基建运营商。这形成了一个完美的商业闭环：

一个是向投资者展示这80亿美元的EUV订单，证明自己是AI时代最核心的“军火商”，从而获得远超传统存储行业的估值。如果把自己定义为内存厂，市盈率可能只有10倍，但如果定义为 “AI必经之路的收费站”，估值就可以向英伟达（30-50 倍）靠拢；

另外一方面是以钱生钱，利用美国资本市场筹集的百亿美金，支付ASML的账单，并持续扩充产能。这种一边狂买设备，一边美股筹款的策略，反映了AI存储竞赛已进入资本密集度极高的阶段。

这份价值80亿美元的订单不仅是SK海力士单笔支出的“天花板”，更是半导体行业从“产品竞争”转向“产能/资本护城河竞争”的一个转折点。

在这份监管文件中，最让人关注的一个点是“拉入条款”（Pull-in Clause）。该条款允许SK海力士在必要时优先购买设备。要知道，30台EUV几乎占据了ASML未来两年对应制程设备很大一部分产出。2025年，ASML的订单积压额就已经高达388亿欧元，产能是全球半导体最稀缺的资源。

SK海力士不惜背负巨额债务也要提前锁定这30台设备，其实也是对竞争对手的最强力回应。三星虽然拥有更多的EUV总量，但在HBM3E的良率门槛前徘徊太久。SK海力士此举意在通过“一代领先，代代领先”的资本投入，彻底封死三星翻盘的窗口。尽管美光在2025年凭借低能耗优势一度威胁到SK海力士，但SK海力士现在的策略是：用规模换取生存空间。

另外的两个竞争对手也在加大研发支出。三星尚未确定2026年的支出，但指出设备解决方案部门（芯片部门）的支出将从2025 年的40.9万亿韩元（283 亿美元）大幅增加。美光科技在去年12月表示，将把资本支出增加45%，达到约200亿美元。

在AI基础设施建设疯狂推进的今天，这30台EUV光刻机不仅是机器，更是SK海力士在HBM4时代保住霸主地位的“船票”。

HBM，把存储推入“EUV时代”

在半导体制造的版图中，EUV 光刻机正从逻辑芯片的“专属王冠”，演变为 SK 海力士稳坐 HBM 铁王座的底层基石。这一转变的核心驱动力，正是即将开启存储新纪元的 HBM4（第七代高带宽存储器）。

曾几何时，存储厂商对 EUV 的态度极为克制。受限于严苛的成本压力，EUV 在 DRAM 生产中长期扮演着“手术刀”的角色——仅在 DUV 多重曝光（Multi-patterning）导致良率损耗触及红线、工艺复杂到难以承受时，才会被有限地引入极少数关键层。

尽管三星较早开启了EUV DRAM 的量产先河，SK海力士在 2021 年后持续加码，美光也明确将在 1δ 节点全面提升 EUV 渗透率，但整体而言，DRAM 的微缩（Scaling）路径一直比逻辑芯片更为保守，对极紫外光的依赖尚处于“可控”阶段。

然而，AI时代的降临彻底打碎了这种循序渐进的节奏，强行改写了DRAM 的运行法则。

长期以来，HBM的胜负手被认为在于后端封装（如SK海力士引以为傲的MR-MUF技术）。但随着步入2026年，竞争的维度再次发生了偏移。在HBM3时代，DRAM颗粒对EUV的需求尚在可控范围。随着第六代10nm级（1c）DRAM成为HBM4的基础底座，EUV光刻的次数从之前的局部应用转变为全局核心。换句话说，单位容量的存储芯片，现在正消耗比以往多得多的EUV机时。

总而言之，EUV设备不再仅仅是提高良率的辅助工具，而是决定HBM4产能上限的“战略质押物”。存储巨头们未来将从EUV的轻度试用者，逐渐转变为为重度依赖者。

这30台EUV将分别部署在两个核心要塞：清州M15X和龙仁半导体集群。其中，清州M15X于去年10月启用的洁净室现在正加速部署，它将成为全球最大的HBM专业组装与测试中心；另一边，龙仁集群方面，SK海力士将首座晶圆厂的启用时间从5月提前到2月，这种近乎疯狂的基建速度，正是为了配合这批EUV的抵达。这不仅是SK海力士的企业决策，更是韩国国家战略的延伸。通过在龙仁形成物理意义上的“EUV高密度区”，SK海力士正在构建一个外人难以逾越的技术围堰。

马斯克，也要抢EUV光刻机

如果说SK海力士的80亿美元订单是一场存储老牌巨头的“圈地自保”，那么来自硅谷的另一股势力，则正在试图通过“暴力拆解”供应链逻辑，来跨界掠夺EUV紧缺资源。

这个搅局者，就是马斯克。

随着 FSD（全自动驾驶）进入端到端大模型时代，以及Optimus人型机器人的量产倒计时，马斯克意识到：“我们需要的芯片，现有供应体系不够。”马斯克本人甚至在 1 月份的财报电话会议上暗示，由于传统半导体厂（Fab）的建设逻辑太慢，特斯拉要用「制造机器的机器思维」，重新设计一套高效率的EUV洁净室环境。

尽管特斯拉目前与三星有 AI6 芯片的代工协议（价值约165亿美元），但全球先进制程产能（2nm/3nm）基本被苹果、英伟达、高通等瓜分，特斯拉拿不到足够的份额来支撑其百万台机器人的愿景。因此，就像当年自造4680电池一样，特斯拉希望将逻辑芯片、内存和先进封装全部整合在一个建筑下。

于是，2026年3月21日，马斯克在德州奥斯汀正式公布了Terafab项目。奥斯汀晶圆厂将在单一建筑内，集齐逻辑芯片、存储芯片、先进封装、测试以及光刻掩模版（Mask）生产所需的全部设备。马斯克声称，全球没有任何其他设施具备这种综合能力。这种‘全屋集成’模式将开启极速迭代循环：制造芯片、进行测试、修改掩模版，然后立即重复这一过程，而无需在不同厂区之间跨境运输晶圆。

该工厂预计将生产两种芯片：一种将针对边缘推理进行优化，主要用于特斯拉汽车和Optimus人形机器人。另一种是专为太空环境设计的高功率芯片，马斯克表示，为了最大限度地减少卫星上的散热器质量，这种芯片的运行温度将高于“地面”设计。

Terafab项目投资额预估在 200亿至 250亿美元之间，每年产出 1 Terawatt的AI算力。1 Terawatt是什么概念呢？当前全球产出的算力约20GW/年，也就是大约50倍的差距。其野心是生产能满足空间环境（SpaceX 卫星）和地面边缘侧（Optimus、EV）的高端芯片。

（图片来源：特斯拉/SpaceX）

马斯克没有给出TeraFab何时开始生产芯片或达到目标产量的具体时间表。特斯拉、SpaceX 和 xAI将继续从现有供应商采购芯片，包括台积电、三星和美光，并补充说他希望这些供应商“尽快扩大规模”。

尽管Terafab尚未披露具体设备采购计划，但如果其目标是实现先进制程芯片生产，那么EUV光刻机几乎是不可绕开的核心环节。在发布会上，特斯拉明确Terafab 将锁定 2nm甚至更先进的制程节点。在半导体物理中，7nm以下就必须要用EUV，5nm / 3nm / 2nm更是高度依赖EUV。2nm节点的制造必须使用ASML生产的高数值孔径 EUV（High-NA EUV）。没有这类设备，根本无法实现 2nm 晶体管的刻蚀。

著名分析师 Klein在3月23日的简报中明确指出：“ASML将是Terafab计划的核心受益者”。报告提到，特斯拉首期200亿美元的设备预算中，很大一部分预留给了单价超过4亿美元的High-NA EUV光刻机。

据彭博社援引行业知情人士消息，特斯拉已开始与ASML接触，讨论未来的交付席位。当这个拥有无限现金流的科技巨头入场，原本就捉襟见肘的 EUV 产能，将面临前所未有的“全球级大挤兑”。

ASML：订单拿到手软

需求已经失控，瓶颈只剩供给。问题最终落在一家公司：ASML。

在全球半导体产业链中，EUV一直是一种极端特殊的存在。它几乎完全由ASML一家供应，单台设备价格高达数亿美元，制造复杂度极高，年出货量长期维持在数十台级别，而交付周期大约1-2年。换句话说，EUV从诞生之初，就不是一个可以通过简单扩产来满足需求的“标准工业品”。

那么ASML一年产多少台EUV呢？目前缺口是怎样的呢？

数据来源：ASML历年财报数据

按照测算，当前ASML每年的EUV出货能力大致在50至60台之间。从中期来看，随着AI基础设施建设的持续推进，ASML也在尝试提升产能。市场普遍预期，到2028年前后，其EUV年出货量有望提升至约90台。

但即便如此，这一数字在需求端面前，依然显得颇为紧张。

在过去，EUV的主要需求几乎完全由先进逻辑芯片厂商所主导，在2023年之前，EUV订单中约 85% 是给台积电这种逻辑代工厂的。台积电、三星以及英特尔，它们为了推进先进制程节点，每年持续消化数十台（预计40-50）EUV设备，基本构成了这一市场的“基本盘”。

但是在AI时代，一个新的变量正在快速放大——存储厂。历史上存储厂对EUV的需求占比仅为10%-15%。从2025年开始，由于HBM4的强力驱动，DRAM厂商对EUV的消化量将占据接近50%。

据投资者的网站测算，到2028年，ASML预计出货约92台EUV设备，其中44台用于 DRAM厂，剩下的给逻辑厂。SK海力士一家就需要30台。如果将美光与三星的扩产计划一并纳入，整个存储行业对EUV的需求正在从过去的“个位数”水平，迅速迈向“数十台”的量级。

这就给了EUV光刻机供应商ASML很大的压力。截至2025年底，该公司积压订单达到创纪录的388亿欧元，其中EUV系统占总量的65%。其产能排期甚至已经延伸至2027年。这意味着，对大多数客户来说，现在的问题不是买不买，而是还能不能排到。

从历年的数据可以看出，ASML的EUV产能提升是极其缓慢的线性增长（每年仅能多造10-15台）。一台EUV光刻机背后，涉及多个不可替代环节：光学系统来自德国蔡司（Zeiss），属于全球唯一供应，极紫外光源来自ASML旗下Cymer，但核心部件仍依赖多家精密供应商，关键反射镜需要原子级精度加工，良率极低。这意味着，EUV的扩产并不是增加一条产线就能解决的问题，而是需要整条高端制造链条同步爬坡。

与此同时，EUV本身也在发生一场代际跃迁。当前主流设备为Low-NA EUV，而面向2nm及以下节点，ASML正在推进新一代高数值孔径（High-NA EUV）设备。相比现有设备，其分辨率提升约70%，但代价是：单台价格提升至3亿–4亿美元以上，体积更大、复杂度更高，产能更受限制。更关键的是，High-NA EUV的早期产能极其有限，初期几乎只会分配给少数头部客户。

面对AI人工智能芯片制造商激增的需求。最近ASML宣布计划裁减1700人，约占其全球员工总数的4%。ASML 官方明确表示，这次裁员 90% 针对的是管理岗（Leadership roles）和 IT 支持岗位。过去五年，ASML 为了应对全球芯片荒经历了疯狂的人员扩张。但在 2nm 和 HBM4 的关键前夜，公司发现组织变得过于臃肿，内部沟通成本极高。首席执行官傅恪礼（Christophe Fouquet）直言不讳：“工程师们反映，他们的大量时间不再花在研发上，而是消耗在了复杂的矩阵式管理中。” 裁撤 1700 个管理岗，本质上是去官僚化。ASML要通过裁减指挥的人，腾出预算和编制去招聘更多干活的人（核心设备工程师）。

结语

僧多粥少，当所有人都在抢EUV，结果是，原本集中于少数玩家之间的设备竞争，正在演变为一场更广泛的“资源争夺”。而一个更扎心的事实是，SK海力士的这份订单揭示了一个残酷的未来：半导体行业的“入场费”已经上涨到了普通玩家无法承受的高度。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

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