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存储芯片的层数,有点像高层住宅——层数越高,单位面积能住的人越多。三星这次把NAND闪存盖到了236层,相当于在指甲盖大小的地盘上,塞进了更多数据房间。
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量产的消息本身不算意外。层数竞赛是存储行业的老传统了,从64层、128层到176层,厂商们一直在玩"叠叠乐"。但236层这个节点值得注意:它意味着单颗芯片的容量密度又往上跳了一档,下游的SSD、手机存储成本可能跟着松动。
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技术路径上,三星用的是双堆栈结构——简单说就是分两拨盖楼,再拼在一起。这样比一次性盖236层更可控,良率损失小一些。竞争对手SK海力士去年已经量产了238层产品,美光也在推进232层,大家的差距正在缩小。
对普通用户来说,这层数游戏的影响会延迟半年到一年才显现。明年买笔记本或手机时,同样价钱能买到的存储空间,大概率会比现在多一档。厂商不会主动告诉你这个,但账单会。
一位存储行业从业者提到,三星这次量产的时间点比内部预期晚了约一个季度——良率爬坡比想象中慢。层数越高,盖楼工艺越苛刻,这几乎是定律。
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