北京
国家知识产权局信息显示，山东有研艾斯半导体材料有限公司申请一项名为“一种用于抑制低阻红磷掺杂硅衬底外延滑移线的方法”的专利，公开号CN121737830A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于抑制低阻红磷掺杂硅衬底外延滑移线的方法。该方法包括如下步骤：（1）在无片状态下，对外延腔体进行Etch/Coat预处理，调节腔体内壁沉积层厚度，使腔体热场均匀；（2）将硅衬底加载至腔体内，在氢气气氛中升温并引入氯化氢对衬底表面进行刻蚀处理；（3）在外延生长初段，将生长温度控制在1070‑1080℃，并将三氯氢硅的流量控制在5‑12SLM范围内，氢气作为载气稀释，生长0.2‑1.0μm厚度的过渡层；（4）将生长温度提升至1090‑1110℃，形成目标外延层；（5）外延生长完成后进行降温，降温过程中控制晶圆径向温度梯度≤15℃。本发明可显著降低外延生长过程中滑移线产生概率，提升外延层晶体质量。
天眼查资料显示，山东有研艾斯半导体材料有限公司，成立于2020年，位于德州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本274180.16万人民币。通过天眼查大数据分析，山东有研艾斯半导体材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目430次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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