北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种高亮度LED芯片制备方法”的专利，公开号CN121751828A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高亮度LED芯片制备方法，涉及LED芯片制备方法，包括外延层、P/N台阶、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层的制备，本发明通过对透明导电层图形化处理工艺的改变，不仅图形化透明导电层，还图形化P-GaN欧姆接触层，在保证电流可扩展的同时，创造出大量不被欧姆接触层遮挡的区域，降低了接触层对光的吸收，使得光可以有效的射出或被反射出去；通过处理P-GaN表面光吸收问题，提升LED芯片出光效率。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息229条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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