北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“包括具有场控制区的基底衬底的绝缘体上半导体器件”的专利，公开号CN121751711A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及包括具有场控制区的基底衬底的绝缘体上半导体器件，该绝缘体上半导体器件包括：基底衬底(110)，其具有第一导电类型的背景掺杂，其中，互补的第二导电类型的场控制区(250)从前表面(111)延伸到基底衬底(110)中，并且其中，场控制区(250)中的净掺杂剂浓度沿着平行于前表面(111)的横向方向以比沿着与前表面(111)正交的垂直方向更低的速率减小；绝缘体层(120)，其形成在前表面(111)上；以及半导体层(130)，其形成在绝缘体层(120)上，其中，形成在半导体层(130)中的半导体元件(300)包括形成在场控制区(250)上方的第一接触区(310)和在场控制区(250)中净掺杂剂浓度减小的横向方向上的第二接触区(320)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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