北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“集成流程中的混合的(100)表面和(110)表面的带状FET”的专利，公开号CN121751750A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及集成流程中的混合的(100)表面和(110)表面的带状FET，并且涉及具有互补导电类型的非平面晶体管结构的集成电路(IC)设备。IC设备可以包括第一晶体管和第二晶体管，其中，纳米带堆叠体在第一晶体管的沟道区中，并且一个或多个鳍在第二晶体管的沟道区中，并且一个或多个鳍可以在衬底之上的沟槽隔离上。纳米带可以具有上(100)表面和下(100)表面，并且一个或多个鳍的侧壁可以是(110)表面。隔离结构上的鳍可以在纳米带堆叠体之间，纳米带可以在衬底的子鳍之上，并且隔离结构可以在子鳍之间。鳍可以从第一晶体管中的纳米带堆叠体的侧壁外延生长为垂直纳米带(并且垂直纳米带具有与纳米带堆叠体相同的晶格，并与纳米带堆叠体对准)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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