国产芯片“狂飙”！长电科技HBM3e封装杀疯了，960GB/s直逼国际大厂！

一、基本信息速览

厂商：长电科技（国内封测龙头）

展会：SEMICON China 2026（3月最新发布）

定位：HBM3e 封装方案（专注封装集成，不做DRAM颗粒）

核心参数：

✅带宽：960 GB/s（单堆栈）

✅技术：2.5D 堆叠 + TSV 硅通孔

✅互联密度：比上一代提升20%

✅适配：3nm 及以下高端 AI/GPU 芯片

二、960GB/s 是什么概念？下列对比看懂“带宽碾压”！

数据对比：

• HBM3e标准上限：约1.2TB/s（1229GB/s）

• 长电科技：960GB/s（接近国际顶级水平，三星/海力士/美光同级）

• 上一代HBM3：约819GB/s（长电直接甩开一代）

• GDDR6：约256GB/s（长电是它的3.75倍！）

结论：国产封装带宽首次杀入第一梯队，AI芯片“内存墙”要塌了！

三、关键技术揭秘：960GB/s是怎么“炼”成的？

2.5D异构集成

结构：DRAM堆栈 + 逻辑芯片（Base Die）+ 硅中介层

优势：超短距、高密度互联，信号传输“一路狂飙”！

TSV硅通孔 + 微凸点

黑科技：垂直穿透芯片，数千个通道并行传输

精度：对准精度从±5μm提升至亚微米级（误差比头发丝还细！）

ALD原子层沉积 + 混合键合

四大工艺：提升信号完整性，散热效率直接拉满

效果：高带宽下稳定运行，告别“发烧”问题！

通道与速率

位宽：1024bit

单引脚速率：9.6Gbps（达到HBM3e标准）

四、意义：国产芯片的“里程碑式突破”！

国内首个公开HBM3e封装方案，填补高端空白！

带宽进入第一梯队（960GB/s），性能直逼国际大厂！

适配3nm AI芯片，解决国产算力“卡脖子”关键难题！

已获NVIDIA/AMD订单，国际巨头认可，国产封装“支棱”起来了！

五、与国际差距：国产仍需“追赶”，但已看到曙光！

国际顶级水平：

• 带宽：1.2TB/s

• 堆叠层数：12/16层

• 良率：98%+

长电科技：

• 带宽：960GB/s（约国际顶级78%）

• 堆叠层数：8/12层

• 良率：未详（预计95%+，接近国际水平）

差距：带宽、堆叠层数和量产规模仍有提升空间，但技术路线已对齐国际，未来可期！

六、一句话总结：国产芯片的“高光时刻”！

长电HBM3e封装960GB/s，是国内目前最接近国际一线的HBM高端封装方案，直接解决国产3nm AI芯片“内存墙”瓶颈，国产芯片崛起指日可待！

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