北京
国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法”的专利，公开号CN121751680A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，该方法在采用湿法刻蚀回刻复合介质层之后，先形成调整介质层，其至少覆盖回刻后的复合介质层，且其顶面最低点高于第一介质层的顶面，之后回刻调整介质层以得到顶面齐平的介质层，后续形成的控制栅层位于屏蔽栅层的上方或两侧并具有齐平的底面。本发明的屏蔽栅沟槽器件的制作方法通过在复合介质层回刻后、控制栅层制作前，增加一道调整介质层的淀积与回刻工艺，因同种材料刻蚀速率相同，刻蚀完成后所得介质层顶面齐平，可以避免后续控制栅层出现斜边，从而降低寄生电容，并且此道工艺无需新增光罩，有利于降低生产成本并规避可靠性风险。本发明所得的屏蔽栅沟槽器件具有更低的寄生电容与更高的可靠性。
天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息206条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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