北京
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国家知识产权局信息显示，哈尔滨工业大学;重庆胜普电子有限公司申请一项名为“一种基于弥散颗粒的自修复集成电路及其制备方法”的专利，公开号CN121752095A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及集成电路芯片封装技术领域，特别涉及一种基于弥散颗粒的自修复集成电路及其制备方法，所述基于弥散颗粒的自修复集成电路，电路的焊点包括一种核壳结构的颗粒，颗粒在焊点中弥散分布；核壳结构由低熔点钎料微球与包覆金属构成；自修复钎料能够与焊点材料发生冶金反应，生成熔点高于自修复钎料的复合钎料；包覆金属覆盖在自修复钎料表面，熔点高于自修复钎料；焊点产生裂纹时，自修复钎料熔化并填充到裂纹中，确保自修复集成电路的电学功能完整；本申请采用弥散在焊点中核壳结构颗粒的设计，可以应对多种焊点裂隙，其制备方法兼容现有技术中常规的电子装联工艺，成本较低且便于实现，易于推广。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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