北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121752041A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有氧化层；于氧化层上形成叠层的牺牲层及图案化的光刻胶层，并对牺牲层进行图形化处理，以暴露部分氧化层；进行第一次离子注入工艺，于所暴露的所述氧化层下方的所述衬底内注入离子；去除所述光刻胶层；进行第二次离子注入工艺，于所暴露的所述氧化层下方的所述衬底内形成阱区；去除所述牺牲层；其中，所述第二次离子注入工艺的束流强度大于所述第一次离子注入工艺的束流强度，且所述第二次离子注入工艺的注入能量小于所述第一次离子注入工艺的注入能量。本申请减少了离子注入过程中的离子反射，从而减少甚至避免了氧化层损伤，有效提高了半导体器件的性能和稳定性。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目635次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1579条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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