天岳先进实现12英寸SiC产品批量供货

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（来源：第三代半导体产业）

3月25-27日，天岳先进携最新的技术进展和产品矩阵亮相上海国际半导体展SEMICON CHINA 2026，展示了在8英寸与12英寸产品领域的重要进展，与全球市占率登顶的亮眼成绩，成为展会全场焦点，吸引海内外客户、合作伙伴及行业专家广泛关注，彰显中国半导体材料企业在全球产业链中的核心话语权。

本次展会上，天岳先进重点展示了8英寸与12英寸碳化硅衬底的最新产业化成果，其中12英寸产品的进展尤为引人瞩目。据悉，公司12英寸碳化硅衬底已实现向多家核心客户批量交付，标志着其在大尺寸碳化硅衬底产业化领域取得里程碑式突破，成为行业内少数具备12英寸产品稳定量产能力的企业。作为第三代半导体核心材料，12英寸碳化硅衬底可显著提升芯片产出效率、降低下游器件制造成本，不仅是支撑电动汽车、新能源、AI数据中心等领域对碳化硅芯片巨大需求的关键，更成为AR眼镜、先进封装等光学·热学领域的重要材料基础，此次批量供货充分验证了天岳先进在该尖端技术领域的成熟度与核心竞争力，进一步巩固了其技术领先地位。

12英寸产品展会现场备受关注

在8英寸产品领域，天岳先进已构建起大规模、高品质的稳定供应体系，凭借突出的技术优势与深厚的产业积累，成为全球众多主流器件制造商的核心供应链支柱。公司长期与英飞凌、博世等世界功率器件头部企业保持深度合作，在晶体质量、缺陷控制、表面加工及质量表征等关键环节表现优异，其微管缺陷稳定为0，位错缺陷水平显著优于同行业。同时，公司精准对接下游用户需求，开发出面内电阻率分布更均匀的无小面产品、电阻率均值更低的低阻产品，并通过亚损伤层控制、位错无损检测等新技术，进一步优化产品性能，有力支撑全球碳化硅功率器件与射频器件的产能扩张及成本优化，助力下游产业规模化发展。

高品质8英寸产品大规模稳定供应

展会期间，天岳先进近期登顶全球碳化硅市场第一的消息成为产业界热议焦点。据日本知名调研机构富士经济发布的报告显示，2025年天岳先进整体碳化硅衬底市场占有率跃居全球首位，打破了Wolfspeed多年来对该领域榜首的垄断，其中8英寸碳化硅产品全球市占率更是突破50%。从2023年站稳全球前三，到2024年跃居全球第二，再到2025年全面领跑，天岳先进仅用三年时间完成跨越式突破，用硬核技术改写了全球碳化硅半导体材料的产业格局，也标志着我国在宽禁带半导体核心材料领域实现自主可控，打破了国际巨头的长期垄断。这一成就被展会现场多方引用，也让天岳先进展台成为全场交流热度最高的展位之一。

2025年碳化硅衬底材料世界市场占有率

展位现场备受关注

“从站稳全球前三，到实现全面领跑，公司用三年时间完成了跨越式突破。”天岳先进相关人士表示，大尺寸化是碳化硅衬底发展的必然趋势，随着晶圆尺寸增加，单位芯片成本将显著降低，其中8英寸晶圆较6英寸可增加芯片产量90%，芯片成本有望降低54%。目前全球已有超过10条8英寸SiC产线规划落地，英飞凌、博世、罗姆等国际企业已明确产线升级路线图，天岳先进在8英寸领域的先发优势将持续扩大，为行业发展注入动力。

产能布局方面，天岳先进已构建起完善的发展支撑体系。早在2024年，公司就提出96万片的产能规划并分步推进，目前济南、上海临港两大生产基地协同发力，产能稳步释放。2022年成功登陆A股科创板，2025年8月成功登陆港交所，成为A+H两地上市的唯一碳化硅衬底企业。资本实力的夯实，有力保障了公司战略的落地，助力公司在AI数据中心、先进封装、AR光学等新兴赛道抢得先机。

天岳先进CEO高超博士发表主旨演讲

在展会同期举办的行业论坛上，天岳先进CEO高超博士发表主旨演讲，系统介绍了公司在大尺寸碳化硅单晶生长、缺陷控制、衬底加工等领域的最新技术突破。他表示，技术引领是天岳先进的核心发展理念，公司始终从下游用户需求出发，持续优化衬底材料各项指标，目前已实现350微米衬底交付，引领行业向更薄尺寸切换，同时通过无小面、低阻产品研发及位错无损检测、亚损伤层质量分析等技术创新，进一步提升产品综合实力与芯片良率，为下游产业技术升级提供支撑。

作为全球碳化硅衬底领域的领导者，天岳先进凭借全流程核心技术掌控能力、稳定的量产交付能力及完善的全球客户体系，已与全球前十大功率半导体器件制造商中超过半数企业建立深度合作，并在光学等新兴领域与头部厂商达成战略合作、获得相关订单。当前，随着AI行业迅猛发展与新一轮能源革命推进，碳化硅衬底正迎来声·光·电·热+AI的全体系发展阶段，未来天岳先进将持续深化技术创新，加速产能落地，推动碳化硅材料在更多新兴领域的应用普及，以中国芯力量引领全球半导体产业高质量发展。

信息来源：天岳先进、上海证券报·中国证券网