北京
国家知识产权局信息显示，中自科技股份有限公司申请一项名为“一种梯度复合锰钴尖晶石SOFC连接体涂层及其制备方法”的专利，公开号CN121718876A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种梯度复合锰钴尖晶石SOFC连接体涂层及其制备方法，涉及涂层及其制备方法的技术领域，梯度复合锰钴尖晶石SOFC连接体涂层，包括内层的FeCr合金氧化层和外层的锰钴尖晶石层，所述FeCr合金氧化层由连接体的表面氧化得到。本发明通过等离子焰流在基体表面上形成一层致密的FeCr合金纳米氧化层作为内层，然后喷涂改性锰钴尖晶石复合涂层作为外层，得到连接体抗氧化性高，Cr挥发抑制性强、面比电阻低的SOFC连接体防护涂层。
天眼查资料显示，中自科技股份有限公司，成立于2005年，位于成都市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本11956.4509万人民币。通过天眼查大数据分析，中自科技股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目67次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息342条，此外企业还拥有行政许可109个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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