北京
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“光响应HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN121728795A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种光响应HEMT器件及其制备方法，通过在势垒层上形成P型掺杂h‑BN阵列，形成p‑hBN/n‑AlGaN异质结，在黑暗条件下，该p‑hBN/n‑AlGaN异质结产生的内建电场使p‑hBN层下方的导带抬升，导致AlGaN/GaN异质结界面处由极化诱导形成的2DEG量子阱消失，器件的部分导电沟道关断，实现低的暗电流；在紫外光照下，该异质结界面附近的内建电场将光生电子‑空穴对分离，光生空穴聚集于p‑hBN/n‑AlGaN界面，光生电子则被诱导至n‑AlGaN/n‑GaN界面，此过程中内建电场逐渐减弱，最终2DEG恢复，器件的导电沟道全部导通，实现高的光电流，从而实现器件的光学响应能力。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可83个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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