北京
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国家知识产权局信息显示，上海毅笃功率半导体科技有限公司申请一项名为“分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121728791A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法。所述方法包括在第一沟槽内填充浮空电极与绝缘介质层交替设置的多层分段浮空电极结构，相同深度的浮空电极彼此电学互联，不同深度的浮空电极彼此电学隔离。本发明通过三维沟槽结构创新与电荷调控机制优化，实现功率半导体器件耐压性能与导通效率的协同提升。
天眼查资料显示，上海毅笃功率半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360万人民币。通过天眼查大数据分析，上海毅笃功率半导体科技有限公司专利信息4条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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