北京
国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法”的专利，公开号CN121699615A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液，涉及半导体技术领域。包括铬酸溶液、氢氟酸和硝酸；设x为氢氟酸的体积，y为铬酸溶液的体积，z为硝酸的体积，单位均为mL；其配比为x:y:z=1:1:6~1:1:10。通过铬酸与HF进一步反应生成氧化性更强的重铬酸，重铬酸直接与硅反应，对高掺杂的N型区具有较快的反应速率，导致该区域优先被腐蚀而形成凹陷；硝酸将硅表面氧化，生成一层极薄的二氧化硅膜，氢氟酸再高效地溶解由硝酸氧化生成的SiO₂薄膜，从而暴露出下方的纯净硅表面，使其能够再次被氧化，对P型区及低掺杂N型区进行循环腐蚀。在保证各掺杂区域界限清晰显现的同时，有效缩短整体腐蚀反应时间，保护精细的器件结构在过程中免遭过度破坏，大大提高了工艺分析效率。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目231次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息788条，此外企业还拥有行政许可245个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
