北京
国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种改善高速流离子注入能量污染的方法”的专利，公开号CN121693018A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及一种改善高速流离子注入能量污染的方法，该方法使高能离子束经过校正磁场前经一次减速，将高能离子束的速度降至安全速度以下形成中能离子束，然后再经二次减速，使离子束的能量降至离子注入所需的能量后进行离子注入。采用上述方式，一方面，中能离子束的携带的能量能够满足整体束流的均匀性调整，从而能够获得比价均匀的注入效果，保证离子注入过程中的稳定性；另一方面，即使中能离子束在二次减速后仍有部分未来得及减速，仍以中能离子束的能量轰击在半导体硅片上，相较于高能离子直接轰击在半导体硅片上来说，注入深度较小，减小能量污染的现象，进而能够降低半导体硅片产生漏电失效的风险。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息72条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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