北京
国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法”的专利，公开号CN121665923A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及集成光电材料加工技术领域，具体涉及一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法。该方法包括：S1、基于器件需求预设图形结构，对涂覆有第一光刻胶的铌酸锂薄膜材料进行曝光和显影处理，以形成光刻图形；S2、基于预刻深度对铌酸锂薄膜材料进行离子注入处理，改变光刻图形位置处的薄膜铌酸锂晶格方向；S3、对铌酸锂薄膜材料进行刻蚀处理，待刻蚀深度达到预刻深度时停止刻蚀；S4、对刻蚀后的铌酸锂薄膜材料进行退火处理，以修复晶格损伤。通过离子注入处理来改变刻蚀区域的原有薄膜铌酸锂的晶格取向，使注入区域的刻蚀率产生差异，通过工艺调制进而改善刻蚀角度，解决现有刻蚀方法刻蚀角度不理想的问题，大大降低了光损耗。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目490次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息834条，此外企业还拥有行政许可47个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
