北京
国家知识产权局信息显示，北京电控集成电路制造有限责任公司申请一项名为“半导体结构、制备方法和晶圆”的专利，公开号CN121665590A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件制造领域，具体提供一种半导体结构、制备方法和晶圆，本发明半导体结构包括：衬底；外延层，位于所述衬底上并且具有第一掺杂类型；第一绝缘层，位于所述外延层上；第二绝缘层，位于所述外延层上；第一开槽和第二开槽，位于所述第二绝缘层中，并且彼此横向间隔开，其中所述第一开槽露出所述第一绝缘层，第二开槽露出所述外延层；金属层，位于所述第一开槽中；阱区，位于所述第二开槽中。本发明可以拓宽变容二极管的电容调控范围，不仅工艺难度较低，还能够显著减少高浓度离子注入对衬底和介质层可能产生的不良影响。
天眼查资料显示，北京电控集成电路制造有限责任公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京电控集成电路制造有限责任公司参与招投标项目42次，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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