北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“半导体处理系统和使用其形成超晶格结构的相关方法”的专利，公开号CN121653827A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，用于半导体制造系统中的材料层沉积方法的方法和设备。控制器可以将衬底安置在衬底支撑件上。可将第一气相反应物提供到第一入口，并且可将第二气相反应物提供到远程等离子体单元，其可分解前体的至少一部分。可以使用分解产物将包括硅的外延材料层沉积到衬底上。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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