黄仁勋喊话DRAM厂尽管扩产，存储芯片概念持续活跃丨盘中线索

3月10日，存储芯片概念高开，盘中持续活跃，广合科技涨超7%，太极实业、利扬芯片、商络电子等跟涨。

据财联社，在近期举办的摩根士丹利科技大会上，英伟达首席执行官黄仁勋公开表示，当前内存供给短缺对英伟达而言是极好的消息，该情况可让客户直接选择性能最强的解决方案。黄仁勋同时向全球DRAM厂商喊话：“存储器厂产能扩多少，英伟达就会用多少。”

近期，韩媒称，三星NAND闪存Q2计划再度涨价。3月8日消息，媒体援引韩国媒体韩媒Sedaily报道，近期，全球NAND闪存市场迎来持续涨价潮，市场份额位居首位的三星电子宣布计划在2025年第二季度再次上调核心NAND产品供应价格，上调幅度预计与今年第一季度持平，引发行业广泛关注。

据了解，三星电子已在今年第一季度将NAND闪存产品价格较上一季度上调约100%。若第二季度延续相同涨幅，其NAND产品价格较去年年底将累计上涨约200%。业内人士表示，尽管不同客户的最终成交价格或存在小幅差异，但三星此次确定的整体涨价幅度基本不会出现明显变动。

开源证券表示，三星DRAM合约价单季翻倍，缺货行情或持续至2028年。三星电子已完成一季度DRAM供货价格谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%，价格较去年四季度实现翻倍。此外，据Gartner预测，到2026年底包括DRAM和SSD在内的存储器价格预期涨幅将达130%。AI算力旺盛需求与产业国产化驱动下，涨价潮正快速兑现为业绩。3月3日佰维存储发布业绩预告，预计2026年1-2月实现归母净利润15亿至18亿元，同比增幅高达922%至1086%。展望供给端，南亚科总经理李培瑛表示，内存供需吃紧的局面最快也要到2028年下半年才有望缓解，进一步夯实存储高景气周期长期逻辑。

中信证券表示，2月以来，随铠侠业绩及指引超预期、NAND一季度合约价上调、以及国内模组厂商佰维存储发布1-2月业绩公告超预期，进一步验证了存储行业景气度维持高位。我们继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐短期业绩爆发性强的存储模组公司、存储原厂及贴近原厂的设计公司。

东方证券表示，AI需求引领，NAND供不应求持续。相关标的：国内存储芯片设计厂商兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、北京君正、恒烁股份等；国产存储模组厂商江波龙、德明利、佰维存储等；受益存储技术迭代的澜起科技、联芸科技、翱捷科技等；半导体设备企业中微公司、精智达、京仪装备、拓荆科技、北方华创等；国内封测企业深科技、汇成股份、通富微电等；配套逻辑芯片厂商晶合集成等。