国家知识产权局信息显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司申请一项名为“半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN121620097A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法,半导体外延层的制备方法包括:将衬底置于外延反应腔室内;向外延反应腔室内提供半导体外延层材料的反应源,于衬底的一侧形成半导体外延层;其中,半导体外延层形成过程中的中间产物包括至少一种化学键能大于Cl与Si之间的化学键能的含Si元素的气态化合物。本发明实施例提供的技术方案,减少了半导体外延层生长过程中形成的掉落物,减少了外延过程中的气相形核和寄生沉积,提高了半导体外延层的质量。
天眼查资料显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析,长飞先进半导体(武汉)有限公司参与招投标项目38次,专利信息117条,此外企业还拥有行政许可62个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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