北京
国家知识产权局信息显示，六安欣奕华半导体材料有限公司申请一项名为“一种酸淬灭剂及其制备方法、负性光刻胶组合物及其应用”的专利，公开号CN121609677A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种酸淬灭剂及其制备方法、负性光刻胶组合物及其应用，涉及光刻胶技术领域。本申请提供的酸淬灭剂三(5,7‑二硝基苯并三唑‑2‑基)胺具有三维螺旋桨结构，三个苯并三唑环以中心氮为轴呈螺旋状排列，提供立体位阻抑制酸扩散，苯并三唑环与硝基形成的共轭结构具有高效的光吸收能力。本申请提供的负性光刻胶组合物采用本申请的酸淬灭剂三(5,7‑二硝基苯并三唑‑2‑基)胺并添加苯甲酸及其衍生物，本申请的酸淬灭剂和苯甲酸成盐可以令负性光刻胶组合物配方具备更好的化学稳定性，该配方的配比可以兼顾良好的去胶性能，在缩小光刻胶在不同基板上图形差异的同时并且有较宽的曝光能量窗口与焦深窗口。
天眼查资料显示，六安欣奕华半导体材料有限公司，成立于2023年，位于六安市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，六安欣奕华半导体材料有限公司参与招投标项目5次，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可6个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
