【中国】呼吁打造“中国版ASML”的呼声日益高涨

荷兰媒体报道，据几位中国芯片公司高管透露，光刻技术应成为中国政府下一个五年计划的核心重点。此举旨在打造一家能够替代荷兰ASML（阿斯麦）的厂商。五年内取得重大进展是可以预期的，但要打造出与ASML匹敌的产品则需要更长时间。

路透社的报道援引这些高管的话称，ASML主要是一家系统集成商，拥有约5000家供应商，单个设备就需要10万个组件。该领域最知名的公司是德国镜头制造商卡尔·蔡司（Carl Zeiss）和通快集团（Trumpf），后者专注于制造用于在硅片上蚀刻芯片图案的强大激光器。这些只是ASML的同类设备需要掌握的众多细分领域中的几个。

中国北方华创科技公司（Naura Technology Group）的赵晋荣、长江存储科技公司（Yangtze Memory Technologies Corp）的陈南翔和华大九天科技（Empyrean Technology ）的刘伟平认为，中国必须迎接挑战。他们在《科学与技术评论》杂志上概述了中国版ASML的蓝图：一个集中管理各机构预算和人员的国家级集成商。

中国政府目前已取得一些成功。光学系统、芯片制造所需的晶圆精准定位以及至关重要的EUV光源都处于不同的研发阶段。然而，这些技术加起来距离取代或媲美ASML最新的EUV光刻机还有很长的路要走。从EDA软件到硅晶圆以及必要的气体，所有环节都尚未完成。

这家位于荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）的芯片设备制造商被禁止向中国销售其EUV设备，这种情况已经持续了十年。然而，中国芯片公司已经委托ASML使用其较旧的DUV设备来制造比以往认为的更先进的处理器。 7纳米极限通常是芯片上最小特征的测量单位，而这一极限只能通过极紫外光刻（EUV）技术实现。目前，这一极限已被逼近。

然而，物理定律限制了芯片设计的精度。芯片设计中更小的细节可以在光谱范围内进一步实现。当然，能量需求也会随之增加。ASML目前最先进的设备所依赖的高数值孔径（High-NA EUV）光源，实际上是EUV技术的进一步发展，而超高数值孔径（Hyper-NA EUV）技术也即将问世。

目前，中国的目标仅仅是实现制造实际的EUV设备，其发展路线图中甚至没有明确提及光刻机。此外，即使中国工程师有机会用上EUV设备，ASML的领先优势仍在不断扩大。

本月初，有报道了称ASML正在将EUV设备的功率输出提升至1000瓦，这有望在2030年之前将芯片产量提高50%。与此同时，ASML也在探索向先进封装和更大尺寸人工智能芯片领域拓展。

中国采用较老的28纳米及以上制程的芯片产能占全球总产能的33%，且不受任何限制。这固然是一个坚实的基础，但对于北京的人工智能雄心而言还远远不够。早在2010年，西方就出现了首批商用28纳米芯片，甚至早于极紫外光刻（EUV）技术的出现。

如前所述，制造一台EUV光刻机不仅需要技术，还需要一个由专业厂商组成的完整供应链生态系统。从根本上讲，中国应该能够做到这一点，部分原因在于其自身的技术研发、ASML及其供应商的情报工作，以及物理定律本身的可行性。

然而，中国与西方在芯片生产领域的差距难以逆转。去年12月底，中国已要求芯片制造商在扩产时至少一半的设备必须从国内供应商采购。中国总理李强周四提出的五年规划，将半导体产业与航空航天和生物技术并列为产业核心的支柱。

为你还原一个真实的荷兰

微信号 : hollandone

网站：www.hollandone.com

邮件：info@hollandone.com