北京
国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“互连结构的形成方法”的专利，公开号CN121620184A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种互连结构的形成方法，先在第一牺牲层与第一介电层中形成第一凹槽；在第一凹槽中和第一牺牲层上形成第一金属互连层，第一凹槽中的第一金属互连层与第一牺牲层上的第一金属互连层相互分离，如此，可以将第一牺牲层及第一牺牲层上的第一金属互连层一起去除，从而实现仅保留第一凹槽中的第一金属互连层。以及，第二凹槽中的第二金属互连层与第二牺牲层上的第二金属互连层相互分离，如此，可将第二牺牲层及第二牺牲层上的第二金属互连层一起去除，从而实现仅保留第二凹槽中的第二金属互连层，无需对第一金属互连层和第二金属互连层进行干法刻蚀工艺以及化学机械研磨工艺，简化了工艺步骤。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目294次，财产线索方面有商标信息103条，专利信息2168条，此外企业还拥有行政许可88个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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