北京
国家知识产权局信息显示，苏州镓港半导体有限公司申请一项名为“III-V族半导体晶圆与CMOS晶圆的晶圆级异质集成方法及结构”的专利，公开号CN121619983A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种III‑V族半导体晶圆与CMOS晶圆的晶圆级异质集成方法及结构，晶圆级异质集成方法包括：提供III‑V晶圆，在III‑V晶圆表面制备第一电介质层，并在第一电介质层上制备第一高熵合金薄膜；提供CMOS晶圆，在CMOS晶圆表面制备第二电介质层，并在第二电介质层上制备第二高熵合金薄膜；将III‑V晶圆和CMOS晶圆对位压合，第一高熵合金薄膜和第二高熵合金薄膜在低温环境中键合形成键合层；刻蚀通孔，通孔贯穿III‑V晶圆、第一电介质层、键合层及第二电介质层；制备互连层，互连层位于通孔内壁，且延伸至III‑V晶圆的部分表面。本发明将高熵合金作为键合层和电气互连材料，解决III‑V族材料与硅基CMOS之间因热膨胀系数不匹配而导致的键合应力等问题。
天眼查资料显示，苏州镓港半导体有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州镓港半导体有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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