北京
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国家知识产权局信息显示，上海微阱电子科技有限公司申请一项名为“基于电磁屏蔽的图像传感器芯片及其制造方法”的专利，公开号CN121619980A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于电磁屏蔽的图像传感器芯片及其制造方法，包括：提供具有感光区的衬底晶圆；覆盖感光区外衬底晶圆表面的屏蔽层；形成贯穿屏蔽层的导电通孔；形成覆盖屏蔽层表面的第一金属层，以得到具有电磁屏蔽的芯片半成品；提供玻璃并形成透明导电膜层；形成覆盖透光区域外的第二金属层，以得到玻璃盖板；将玻璃盖板与芯片半成品键合，以得到晶圆级芯片封装结构。整个过程基于晶圆级芯片封装制造，兼容CMOS工艺，不仅能够有效提高封装效率、降低封装成本，还能够减小封装体积、提升封装可靠性；同时，通过形成屏蔽层，能够有效减少电磁干扰，提高图像传感器芯片性能，解决了如何低成本的提高带有电磁屏蔽的图像传感器芯片的封装效率的问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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