人形机器人 ,如今正逐步成为多行业自动化领域的可行方案。据EEWorld从高盛研究数据中获悉,2025 年全球人形机器人出货量达 1.5 万~2 万台,未来十年预计将保持超过 40% 的强劲 复合年均增长率 (CAGR)。推动这一增长的因素包括: 运动控制技术 持续优化,设计迭代周期缩短至一年以内;AI 自训练软件的应用;以及供应链选择增多带来的成本下降。人形机器人的核心应用领域包括:工业自动化、仓储物流、家庭辅助、医疗健康及农业。
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上图为人形机器人电源架构的简化框图。电池通常采用低于 60V 的安全特低电压(SELV)。
系统常用 48V 母线电压,这是兼顾更低损耗、更轻设备重量的最高安全电压。DC/DC 转换器用于为栅极驱动器、伺服机构、传感器及控制器提供所需电压。 电池管理系统 (BMS)负责电芯监测与安全保障。目前已开发出支持自主充电或自动换电的人形机器人,可有效减少停机时间,提升运行效率。
逆变器为电机提供交流电。栅极驱动器、逆变器、电机与电机控制器构成紧密耦合的系统,可协同优化。系统通常采用 永磁同步电机 (PMSM),运行更平稳、控制更精准。
驱动电路的小型化可实现电机集成驱动方案—— 电机及其驱动、检测电路集成于同一封装。这能降低线缆损耗与寄生电感,提升系统动态响应。人形机器人不同部位的功率需求各异:
手腕 / 手部:功率较低,通常 10W~100W。 自由度 (DOF)决定可实现的运动类型。人类手部约 27 个自由度,商用机器人手部通常约 6 个自由度。特斯拉 Optimus 等先进机器人手臂已实现约 25 个自由度。高自由度机器人需搭载大量电机,因此电机与驱动电路的体积至关重要。更低的转矩纹波可带来更精准的运动,而这依赖逆变器更高的开关频率。
脚踝 / 颈部 / 肩部:功率 100W~300W,体积要求相对宽松。
肘部:功率 1kW~2kW,散热性能与安全性为关键指标。
膝盖 / 髋部 / 髋 中 关节:功率需求最高,2.5kW~5kW。重点关注功率效率、散热与功能安全。快速开关可提升系统转矩、减小电流纹波。
出于安全考虑,机器人外壳温度一般需低于 55℃。除高端系统外,机器人通常无法采用主动散热,因此逆变器满负载下的器件温升是重要设计考量。
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GaN HEMT 在人形机器人逆变器中的优势
相较于硅基 MOSFET,GaN HEMT 在人形机器人电机驱动逆变器中具备多项优势:
开关速度提升 10 倍以上,允许电机工作在更高频率,减小电机绕组与铁芯损耗,提升系统整体效率。
更高频率降低转矩纹波,拓宽转矩控制带宽,实现更平滑、精准的电机控制。
氮化镓更优的品质因数(FoM)大幅缩小体积,便于在空间受限场景中开发集成电机驱动。
增强型氮化镓器件无反向恢复电荷(QRR),降低损耗并缩短死区时间,提升每安培转矩输出,降低系统噪声。
氮化镓高频、低损耗特性可降低相同负载电流下的电机温度,满足被动散热需求。
高频工作可省去大容量电解电容,改用体积更小、可靠性更高的陶瓷电容。
更高效率与更小体积、重量,可延长机器人续航时间。
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面向人形机器人的氮化镓解决方案
EPC
EPC 是增强型氮化镓分立器件与集成电路供应商,拥有覆盖人形机器人电机驱动需求的完整方案。
手腕 / 肘部 / 脚踝关节驱动
这类关节重点追求速度、精度与小尺寸。高 PWM 频率(>100kHz)与短死区时间是核心优势。EPC91122参考设计为三相永磁同步电机驱动逆变器,采用圆形板设计,外框 55mm,逆变器内板 32mm。该电路板便于集成到人形机器人关节中。
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图:EPC91122 参考设计板顶视图(来源:EPC)
该尺寸可将逆变器直接置于电机定子腔体内,利用电机外壳作为散热器提升散热性能。EPC91122 集成完整电机驱动功能:离线稳压电源、直流电压检测、内置 30A 过流保护的电流传感芯片,以及用于转子位置与速度控制的板载磁编码器。
板载EPC33110 ePower 功率级芯片集成三个氮化镓半桥、栅极驱动、自举电路与电平转换,耐压 100V,典型导通电阻 8.7mΩ,采用 6×6.5mm QFN 封装,支持六路互补 PWM 与快速低电平关断。
单路 5V 输入即可驱动模块工作,最高支持 80V。EPC33110 每相额定电流 15A 峰值 / 10A 有效值。测功机测试显示:2 秒脉冲下可稳定工作至 20A 有效值,对应 1Nm/A 的电机可输出 20Nm 转矩。在 100kHz PWM、25ns 死区、自然对流散热条件下,可连续输出 13A 有效值,温升低于 50℃,如图 3 所示。顶冷封装是实现优异散热的关键。
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图:EPC91122 在 100kHz PWM、自然对流与被动散热下的连续工作热性能(来源:EPC)
髋部 / 膝盖 / 肩关节
这些大转矩关节低速下峰值转矩超过 100Nm,需要大相电流、低导通电阻、高效率快速开关以降低损耗。该类应用通常采用功率器件并联满足大电流需求。
EPC9186HC2为 100A 有效值三相永磁同步电机驱动逆变器参考设计。EPC9186NC2每个开关位置并联两颗 EPC2361 氮化镓 FET,最大输出电流峰值 200A。EPC2361 为 100V 增强型氮化镓器件,最大导通电阻 0.75mΩ,采用 3×5mm QFN 顶冷封装,结至壳顶热阻仅 0.2℃/W,散热性能优异。
EPC 首席执行官Alex Lidow在接受《电力电子新闻》独家采访时表示:在人形机器人中,电机驱动是最关键的功率级之一,而氮化镓在此展现出明显优势。机器人本质上是精密电机的集合体,氮化镓可让驱动工作在100kHz 以上的开关频率,远高于传统 MOSFET 方案。在该频率下,设计师可省去大容量电解电容,大幅减小体积与重量。最终实现更平滑的运动、更高效率、更高可靠性与更长寿命。这些优势让氮化镓成为下一代机器人执行器的自然之选。
除了EPC之外,其他一些氮化镓供应商也十分看好人形机器人的发展。
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英飞凌
在英飞凌《2026年GaN技术展望》中,预测7也提到了氮化镓在机器人中的应用。
英飞凌表示,2026 年,基于 GaN 的小型化集成电机控制电子器件将使机器人关节更紧凑、定位更精准。机器人技术处于机械工程、机器学习和功率电子技术的动态交汇领域,正在深刻改变各行各业及社会,从工厂与物流,到农业、医疗以及家庭应用。随着机器人技术的不断革新,其发展正从单纯的自动化,迈向物理 AI阶段,使机器人能够在现实物理世界中感知、思考和行动。这一转变使机器能够与人类和自主系统协同工作,并在复杂的环境中导航。
半导体在这一技术跃迁中扮演着重要角色,是机器人不可或缺的基础构成单元,赋予其“感知”、“决策”和“运动”能力,使其能够实现智能、安全、可靠的人机协作。这类应用离不开紧凑的设计和精确的功率管理,而这正是GaN的优势所在。因此,GaN技术发挥着关键作用,以人形机器人为例,GaN技术可通过更紧凑、更高效、性能更优的功率模块,实现精确的运动控制,即便在手肘、手部等空间受限的关键部位亦是如此。对于机器人工程师而言,GaN 技术有助于实现更轻量化的机器人、更长的运行时间、更高的机动性以及更优异的电机控制性能。同时,GaN 技术还能使机器人以更高的精度和效率完成各类任务。
在英飞凌展示的紧凑型GaN 1kW人形机器人手臂Demo中,采用了尖端组件,旨在提供超高功率密度的电机驱动。该解决方案集成了GaN功率级、TMR电流检测以及基于Arm Cortex-M33架构的微控制器等先进技术。其硬币大小的设计使其能够无缝集成到电机外壳中,有效降低辐射电磁干扰(EMI),并减少对大量布线的需求。
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英飞凌的CoolGaN技术创新性地将栅极驱动器和晶体管集成于单个封装中,重新定义了电力电子技术,为电机驱动系统带来无与伦比的效率和紧凑性。CoolGaN显著降低了开关损耗,产生更纯净的开关波形,并缩短了死区时间,即使在严苛的条件下也能确保更高的运行性能和精度。
CoolGaN的优势远不止于效率,它正引领系统设计的革命。其更高的功率密度支持更小的功率级、更低的电容和更小的散热器,从而实现紧凑轻巧的设计,完美适用于机械臂和其他空间受限的应用。此外,它兼容更高的控制频率,改善了系统的动态响应,降低了高速电机中的电流纹波,并省去了笨重的电解电容器。这不仅提高了可靠性,而且通过使用分布式陶瓷电容器组还改善了EMI性能,从而实现了更平稳的电机运行和更高的系统效率。
借助CoolGaN,可以实现功率、精度和可靠性的平衡,从而为更清洁、更小巧、响应更灵敏的电机驱动系统铺平道路,带来卓越的体验。
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德州仪器
EEWorld获悉德州仪器在《GaN FET 在类人机器人中的应用》中提到,为了实现与人类相似的运动范围,通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统 。电机分布在机器人身体的不同部位,例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数 字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作,单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决于所执行的具体功能;例如,驱动机器人手指的电机可能只需要数安培电流,而驱动髋关节或腿的电机可能需要 100 安培或更高的电流。
与传统伺服系统相比,类人机器人的伺服系统具有更高的控制精度、尺寸和散热要求。
更精确的控制
在伺服电机驱动应用中,电机控制通常分为几个控制回路层:电流/扭矩回路、速度回路、位置回路和更高级别的运动控制回路。这些回路通常以级联的形式排列,每个回路都有“实时”处理要求。电流/扭矩回路是速度最快的控制回路。每个上游回路以其之前回路的倍数运行,并为下游回路提供输入参考。下图显示了典型的级联控制拓扑。
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典型的伺服电机控制回路技术
控制回路最重要的部分是电流回路。通常,FET 开关频率与电流回路相同,约为 8kHz 至 32kHz。电流回路的速度直接影响电机控制的精度和响应速度。类人机器人的一个简单动作涉及多个伺服电机的控制。为了协调机器人身体中的近40个电机,同时保持系统的稳定性,每个关节的控制精度和响应速度必须满足非常高的要求。可通过提高电机控制回路的速度和PWM频率来满足这些要求。例如,100kHz的开关频率可以实现分辨率更高的电机电流,从而实现更小的电机电流纹波和更精确的控制。高分辨率电机电流波形也意味着可以获得更好的正弦电流,这可以提高电机的运行效率并减少电机发热。
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100kHz和10kHz PWM电机电流此外,增加PWM开关频率可以减小DC总线电容器的尺寸和电容。对于要替换为陶瓷电容器的电解电容器,需要满足的总线电容要求降低。伺服功率级FET通过PWM信号定期从总线电容器汲取电流。当PWM频率增加 时,每个单位时间消耗的电荷量减小,这意味着所需的总线电容减少。根据 TIDA-010936 的测试,将 PWM 频率从20kHz提高到80kHz后,可以用电容相等的陶瓷电容器代替电解电容器,以获得相似的总线电压纹波。与电解电容器相比,陶瓷电容器具有明显优势:更小的尺寸、更长的使用寿命、更好的高频特性等。 因此,在设计类人机器人时必须考虑速度更高的电流回路和更高的 PWM 频率。对于 MOSFET 型伺服驱动器,PWM 开关频率的增加会带来很大的额外损耗,从而导致驱动器严重发热。当开关频率从10kHz增加到20kHz时,MOSFET型驱动器会让总体损耗增加20%至30%,这对于类人机器人是不可接受的。此外,GaN FET在高频下具有较低开关损耗。在TIDA-010936测试中,电路板损耗在40kHz和80kHz下几乎相同,因此GaN特别适合高开关频率场景。
减少开关损耗
GaN之所以能够实现如此低的开关损耗,源于 GaN 器件的特性。GaN 器件具有更小的栅极电容 (CG) 和更小的输出电容 (Coss),可实现达到Si-MOSFET 100 倍的开关速度。由于关断和开通时间缩短,可以在较短的范围内控制死区时间,例如 10-20ns,而 MOSFET 通常需要约 1us 的死区时间。死区时间的缩短可降低开关损耗。此外,GaN FET 没有体二极管,但续流功能通过第三象限操作实现。在高频PWM 场景中,MOSFET 的体二极管会导致较大的反向恢复损耗(Qrr 损耗)。第三象限操作还可避免开关节点响铃和由体二极管引起的 EMI 风险, 从而降低对高功率密度类人机器人中其他器件的干扰。
尺寸更小
类人机器人的关节空间有限。电源板通常是直径为 5-10 cm 的环形 PCB。此外,关节必须集成电机、减速器、编码器甚至传感器。重要的是,设计人员必须在有限的空间内实现更高的功率和更稳定的电机控制。与 MOSFET 相 比,GaN 具有更小的 RSP(比电阻、裸片面积尺寸比较),这意味着与具有相同 RDSon 的 MOSFET 相比, GaN 具有更小的裸片面积。德州仪器 (TI) 通过集成 FET 和栅极驱动器进一步减小了占用空间。这样可以实现 4.4mΩ 半桥 + 栅极驱动器,并且封装仅为 4.5 x 5.5mm。
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英诺赛科
作为国内乃至全球氮化镓的主要供应商,英诺赛科正在广泛布局氮化镓市场,机器人就是其一。
在英诺赛科产品应用主任工程师郑先华,曾在2025年充电头网举办的第三代半导体机器人快充新技术研讨会上,做了《InnoGaN—机器人“芯”动力》报告。
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英诺赛科的氮化镓产品能够覆盖机器人旋转执行器、灵巧手、线性执行器等部件,以及智能感知、AI及控制、电池、充电器等方面的应用。InnoGaN技术可实现轻量化、高功率密度、高效率和低温升。
GaN具有低器件损耗、低死区时间、高开关性能等性能优势,可提升BLDC/PMSM电机驱动效率,减少损耗和温升,增强功率密度降低耗电。
GaN器件具备更低导通损耗、更低的开关损耗、无反向恢复损耗、更低的温升、更强的出流能力,更适合高频应用。在20kHz和100kHz的测试条件下,GaN HEMT相较于Si MOS均表现出更低的温度变化(ΔTc)和损耗(loss),且在100kHz时,GaN的温升和损耗优势更为显著。
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GaN器件在电机驱动中的优势,主要体现在低死区方面。其死区时间显著缩短,能降低死区损耗并减少总谐波失真,从而提升系统和电机效率。在48V/500W电机测试中,死区时间从500ns降到20ns,逆变器效率提升了约0.48%,THD降低了约0.93%。
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GaN器件在电机驱动中具备高载频优势,更高的PWM载频能降低母线电流纹波、减少DC-link电容并提高系统功率密度。通过对比测试数据,展示了在PWM频率提升3倍后,电容体积大幅减少88.69%,母线电流纹波也显著降低。
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实际对比20KHz和60KHz PWM下电机纹波电流,可见高PWM载频能减小纹波电流,有效提升电机效率,总体可降低系统能耗。
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典型人 型 机器人单台约40个关节电机,方案分别对应三类电机及氮化镓芯片:灵巧手(空心杯电机,对应ISG3204LA芯片,集成GaN+驱动IC,体积小);旋转执行器(无框力矩电机+减速器,对应INN100EA035A芯片,体积更小、散热强、性价比高);线性执行器(无框力矩电机+丝杠,对应INN100EQ016A芯片,体积小、散热好、出流能力强)。
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英诺赛科针对48V 500W环境推出电机驱动评估板,该方案采用ISG3204LA 芯片,具备高效率,在48V输入下峰值效率达98.23%,满载效率为98.1%,且在小功率场景可省去散热器,降低系统复杂度与成本。其拥有 1000W 峰值输出功率、150Hz 基本频率及 20kHz 开关频率等优势参数,为机器人电机驱动提供了高效可靠的解决方案,目前已帮助众多客户快速搭建应用评估环境,加快了产品验证与导入。
GaN器件的栅极电容和米勒电容都比Si小,因此,GaN器件能够实现较快的开关速度。为避免快速开关过程中di/dt和dv/dt产生电压电流应力,需要优化栅极回路及功率回路的Layout以减小寄生参数的影响。ISG3204LA在内部基板设计中实现了优化的驱动和功率环路:(1)驱动与GaN器件的距离非常近,减小了环路寄生电感以减小驱动环路的 嗓 声。(2)自举电容被合封在ISG3204LA内部,以减少驱动BST到Vcc的距离。(3)高低边GaN的距离保持最小以避免寄生电感导致的负压对驱动造成影响。
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总结
人形机器人对控制精度和功率密度的要求较高。GaN 可以在高 PWM 频率下以低损耗轻松实现更高精度的电机控制。GaN 的高功率密度特性可进一步减小尺寸。
由于这些优势,GaN 型电机驱动器可能会成为类人机器人的首选设计,带来更高效、更稳定和更智能的机器人设计。除了人形机器人之外,GaN 技术也是其他类型机器人(协作机器人、外科手术机器人、AGV)、工业伺服系统、家用电器和其他需要高功率密度的应用的理想选择。
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参考文献
英诺赛科InnoGaN—机器人“芯”动力主题演讲回顾
https://www.chongdiantou.com/archives/1746528401044.html
GaN Powers Humanoid Robots
https://www.powerelectronicsnews.com/gan-powers-humanoid-robots/
GaN-Based Motor Drive Redefines Compact Power for Humanoid Robots and UAVs
https://www.powerelectronicsnews.com/gan-based-motor-drive-redefines-compact-power-for-humanoid-robots-and-uavs/
GaN FET 在类人机器人中的应用
https://www.ti.com.cn/cn/lit/ab/zhcaew1/zhcaew1.pdf
Infineon GaN Insights 2026
https://www.infineon.cn/assets/row/public/documents/24/59/infineon-gan-insights-2026-whitepaper-cn.pdf
Compact 1kW GaN motor drive for humanoid robot arms
https://community.infineon.com/t5/Blogs/Compact-1-kW-GaN-motor-drive-for-humanoid-robot-arms/ba-p/980886
进群和电子工程师们面对面交流经验
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