英伟达GB10芯片Die-Shot图曝光：台积电3nm工艺

IT之家 3 月 5 日消息，消息源 @Kurnalsalts 携手 @SemiAnalysis 昨日（3 月 4 日）在 X 平台发布推文，分享了英伟达 GB10 芯片的 Die-Shot 图，并详细标注相关细节。

IT之家注：Die-Shot（裸片图）是指芯片内部物理结构的显微照片或布局图，用于分析芯片的具体设计和各区域面积。

英伟达 GB10 芯片由联发科与英伟达联合开发，其中联发科负责 CPU 芯粒（Chiplet），英伟达贡献 GPU 芯粒。

值得注意的是，GB10 采用了台积电的 N3（3nm）工艺，而英伟达现有的其他 Blackwell GPU（如 AI 加速器和 GeForce 显卡）则主要采用优化后的 5nm（4N）工艺。

对比分析揭示了一个反直觉的现象：GB10 芯片中 Blackwell GPU 的部分功能区域面积，竟比已知的 5nm 版本芯片更大。

具体数据显示，GB10 的整体芯片尺寸为 12.91 x 29.55 毫米，其中 GPU 芯粒尺寸为 12.91 x 13.45 毫米，其顶层的图形处理集群（GPC）面积增加了 12.5%，纹理处理集群（TPC）增加了 16.7%，流式多处理器（SM）也增大了 13.5%。

理论上，更先进的 3nm 工艺应能缩小结构尺寸，为何会出现面积膨胀？分析认为，这可能是物理设计团队在迁移工艺时采取了“宽松”策略。降低晶体管密度有助于提高新工艺下的芯片良率，这在制程转换初期是常见做法。此外，GB10 采用了 SM 12.1 架构，与 B100/B200 的 SM 10.0/10.3 存在差异，兼容性需求也可能影响了设计布局。

另一种可能性与性能有关。更宽松的设计通常能支持更高的时钟频率。虽然 B200 加速器的加速频率为 2.1 GHz，但 GB10 的 GPU 加速频率达到了约 2.5 GHz。这种频率差异以及潜在的散热需求，或许是导致电路布局改变的关键因素。不过，目前英伟达尚未官方确认具体的设计变更原因。