中科院研究员：都不相信中国能突破EUV，但我们已开始换道超车

前沿导读

据《凤凰卫视》新闻指出，中国科学院自然科学史研究所研究员刘益东在接受主持人胡一虎采访时表示，很多人看到外媒报道的中国EUV原型机的新闻都产生疑问，都觉得我们有那么厉害吗？EUV光刻机是很难的技术设备，我们真的有能力完成原型机吗？

以现在的情况来说，我们的半导体产业已经进入到了一个换道超车的发展路线，与国外的技术方向存在一定的差别。

我们现在的思路并不是要完全沿着西方国家制定的技术方向走，包括外媒报道的中国EUV原型机也是一样的。我们确实在研究EUV设备，但是我们所采用的技术路线是多方面的，在多个技术当中需要找到一条合适的路线。

多技术路线

荷兰ASML是全球唯一一个拥有量产EUV光刻机能力的企业，ASML采用的是激光等离子体技术（LPP），其激光技术来源于美国西盟公司，该公司目前已经被ASML全资收购。而激光发射器则是由德国通快与美国西盟公司联合开发完成，曝光反射镜组则是由德国蔡司独家供应，这几乎已经算是吸纳了全球最顶级的工业资源。

而中国的EUV光刻机研发并没有局限于ASML所主导的LPP技术，还有相关团队在尝试激光诱导放电等离子体（LDP/DPP）技术，甚至清华大学还在多年前提出了稳态微聚束技术（SSMB-EUV）。

根据清华大学官方资料显示，国产EUV光刻机的自主技术攻关还需要走很长一段路，虽然SSMB的EUV光源有望解决自主光刻机的卡脖子难题，但是其需要上下游供应链的技术配合才能实现下一步的发展。

参考资料：
清华首次验证“稳态微聚束”原理，有望助力光刻机自主研发-清华大学

新技术的提出，往往伴随着新产业链的开启。

光源与发射器是因果关系，只有生成EUV光的技术不行，还需要用发射器当做硬件载体，将EUV光投射到下一步的曝光环节中。清华大学所提出的SSMB技术只是在理论层面实现了贯通，我们下一步要做的事情，就是依托该技术制造发射器和曝光装置，这需要上下游供应链进行联合攻关。

据德国蔡司半导体部门的官方资料显示，蔡司联合ASML在LPP技术领域拿下了超过1500项曝光装置的专利，这些专利成为了ASML运用EUV光源制造芯片的核心技术。

如果中国企业选择继续沿着ASML成功的路线发展LPP技术，那么这1500多项曝光装置的技术专利将会成为中国企业的“拦路虎”。必须要完全避开所有技术专利，不然这些专利将会成为海外企业压制中国自主设备的方法之一。

相对于跟随ASML的路径制造EUV光刻机，走其他技术路线的风险就要小很多。这也是中国团队选择多路线发展的原因之一，无论是哪一条路线，只要有一条路能走通，就可以缓解EUV光刻机被卡脖子的困境。

成功因素

路透社在2025年发布新闻表示中国团队已经完成了EUV原型机的制造，但是其通篇内容引用“知情人士透露”这种虚无缥缈的话术来分析中国设备，没有任何实质性的证据来证明其文章内容的真实性。

《环球网》对此评价称：

不论通篇“知情人士透露”的报道是不是“烟雾弹”，其字里行间对中国科技进步的焦虑显而易见。这种焦虑恰恰让世人看到，一种在西方时常出现的不健康心态。

参考资料：
社评：中国科技进步，路透社本不必焦虑

EUV光刻机已经算是西方国家对中国实施出口管制的最后一道屏障，该设备的封锁让中国先进芯片产业出现了技术断层，也让中国企业开始加速国产设备的发展。

据清华大学发布的资料显示，由清华大学机械工程系负责研发的光刻机双工件台系统样机已经在2016年完成项目验收，该工件台系统符合65nm-28nm干式以及浸润式光刻机的子系统制造标准，为国产光刻机的发展拿下重要一环。

参考资料：
清华成功研发光刻机双工件台掩模台系统α样机-清华大学

国产光刻机一直在稳步推进当中，并且为了解决EUV光刻机的技术问题，相关科研单位还聘用曾经在国外企业任职的技术人员担任教授，共同研发国产技术。

例如清华大学集成电路制造研究院的高伟民教授，他在2018年至2025年担任中国ASML技术总监，现在是清华大学集成电路学院的技术教授。并且高伟民曾经还在比利时微电子研发中心以及美国新思科技任职，这两家企业都与芯片制造存在直接关系。

参考资料：

• GAO Weimin -School of Integrated Circuits, Tsinghua University