北京
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121586260A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构包括基板以及字元线结构。基板包括源极/漏极区域。字元线结构设置在基板中且邻近源极/漏极区域。字元线结构包括字元线金属层、覆盖层、第一密封层以及第一气隙。覆盖层设置在字元线金属层上。第一密封层设置在字元线金属层与覆盖层之间。第一气隙设置在字元线金属层与第一密封层之间。本发明所提供的包含带有气隙的字元线结构的半导体结构及其制造方法能够有效降低寄生电容。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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