SK海力士追投150亿美元，存储三巨头晶圆厂建设博弈升级！

2月25日，全球存储芯片巨头SK海力士通过官方网站正式宣布，经公司董事会决议，决定在2030年12月底前为首座晶圆厂投资约21.6万亿韩元（约合150亿美元），用于完成工厂主体结构建设及核心生产设施部署，进一步扩大先进制程晶圆产能，以应对全球AI、高性能计算等领域爆发式增长的芯片需求。

该投资将重点用于完成首座晶圆厂的主体结构施工，并兴建第二期至第六期共5座无尘室。最终，这座工厂将形成2栋主体建筑及6座无尘室的规模。

公告同时提及，该晶圆厂首个无尘室的启用时间将从原定的2027年5月提前至同年2月。

据悉，此次追加投资后，SK海力士在龙仁首座晶圆厂的累计投资金额已达31万亿韩元（约合215亿美元），其中包括2024年7月公司宣布的9.4万亿韩元初始基础设施投资，该笔初始投资主要用于厂房基建及相关配套设施搭建。

SK海力士加速向“AI存储定制化”转型

SK海力士近期一系列动作精准贴合“晶圆代工2.0”时代的行业发展趋势与AI驱动的需求变革，正加速向AI定制化服务商方向进行深层转型。

在前端制造领域，SK海力士正通过龙仁集群构建规模化的产能壁垒。龙仁半导体集群不仅是生产基地，更是耗资600万亿韩元打造的产业生态核心。

除首厂外，该地规划的后续三座晶圆厂及50余家供应商，将形成极强的集群效应。通过强化前端（Front-end）物理产能，SK海力士旨在在1c nm等下一代DRAM工艺竞赛中，确保成本竞争力与供应稳定性。

在后端封测领域，SK海力士正通过“存储代工化”构筑护城河。面对HBM4等前沿需求，存储制造的重心已由单一晶圆生产转向高级封装。

2026年初，公司在韩国清州与美国印第安纳州同步推进封装基地建设。通过与台积电（TSMC）协作，将HBM基础层交由逻辑代工厂加工后再进行精密堆叠，SK海力士正在重构高端存储的制造逻辑，使其更接近逻辑芯片的代工模式。

在产能配置层面， 目前SK海力士形成了明确的梯队分工：利川M16与清州M15X负责满足当前的HBM市场需求，而规划中的龙仁首厂则定位为HBM4及更高代次产品的旗舰基地。

存储三巨头的晶圆厂建设博弈

随着AI对高带宽内存（HBM）需求的结构性增长，三星电子、SK海力士和美光科技均在2026年进入了大规模资本支出周期。通过对比各方的晶圆厂建设情况，可以看出三家公司在产能配置上的不同路径。

01、三星电子：平泽园区的综合生产模式

三星电子目前主要依托其韩国平泽（Pyeongtaek）园区推进P4和P5厂房的建设。与SK海力士专注于存储不同，三星的策略是将存储制造与逻辑芯片代工（Foundry）置于同一园区内。这种布局旨在利用2.5D封装的垂直整合优势，直接在园区内完成从HBM制造到系统级封装的闭环。虽然其整体产能规模最大，但由于需要兼顾逻辑代工，其在HBM专用生产线的转换速度上正面临资源调配的考验。

02、SK海力士：龙仁集群的专用化扩产

SK海力士此次加码的龙仁集群，在设计初期即针对下一代DRAM工艺进行了优化。相较于三星的综合模式，龙仁首厂的建设目标非常明确，即通过21.6万亿韩元的投入，大规模部署EUV生产线和HBM专用后端设施。其优势在于能够通过高度集中的单一基地，维持其在高端存储市场的交付份额。

03、美光科技：多区域产能多元化布局

美光科技则采取了不同于韩系厂商的地理布局策略。在政府补贴政策的引导下，美光正同步推进美国纽约州克莱（Clay）和爱达荷州博伊西（Boise）的晶圆厂建设。美光建设重点在于实现先进制程的跨区域供应能力，降低单一地区的供应链风险。虽然美光在HBM3e产品能效上具有竞争力，但由于其新建工厂的投产周期长于SK海力士的龙仁项目，其在2027年前的全球总产能基数仍处于爬坡阶段。

结 语

从头部存储厂商的产能建设对比中可以发现，存储行业的投资逻辑正在发生变化：过去厂商主要依据市场价格波动调整产能，而现在则转向“以销定产”的预留模式。

行业人士认为，SK海力士在2030年前的长期投资承诺，以及三星和美光的扩产动作，本质上都是在抢占2027年至2030年间的供应份额。在AI服务器需求持续走高的背景下，谁能率先完成晶圆厂主体建设并进入设备调试期，谁就有望在未来的订单合同谈判中占据主动权。