北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121586284A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层和第一金属层，所述介质层内形成有凹槽，所述第一金属层至少覆盖所述凹槽的侧壁和底部；对所述凹槽进行照射处理，使所述第一金属层中位于所述凹槽内的部分产生载流子，且所述载流子的浓度沿远离所述凹槽底部的方向上逐渐减小；在所述第一金属层上形成填满所述凹槽的第二金属层，且所述第二金属层的形成速度与所述载流子的浓度呈正相关。本申请通过控制第一金属层内的载流子浓度分布情况，使第二金属层的形成速度沿远离凹槽底部的方向上逐渐减小，避免了第二金属层于凹槽的顶部拐角处提前封口的概率，从而减少甚至避免了第二金属层内形成孔洞缺陷的概率。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1662条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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