北京
国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121586285A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出有源区；浅沟槽隔离结构的顶面与有源区的顶面不齐平；形成多个间隔排布的牺牲图形，各牺牲图形的顶面平齐；至少部分牺牲图形横跨相邻浅沟槽隔离结构与有源区的交界处；交界处包括交界线及/或交界面；于各牺牲图形的侧壁形成侧墙，位于牺牲图形侧壁的侧墙的顶面平齐。本申请通过设置多个间隔排布的牺牲图形，各牺牲图形的顶面平齐，解决了因为浅沟槽隔离结构的顶面和有源区的顶面存在高度差而导致的牺牲图形侧壁的侧墙的顶面存在高度差的问题，缓解了栅极的负载的问题，提高了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，上海光通信有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2038786.497万人民币。通过天眼查大数据分析，上海光通信有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目58次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可182个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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