北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SOI衬底电流测试结构”的专利，公开号CN121586450A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SOI衬底电流测试结构，第一导电类型的MOS晶体管形成于由SOI衬底形成的第一有源区上。第一有源区分成在MOS晶体管的第一栅极结构的条形的延伸方向上相邻排列的器件主体区以及器件延伸区；第一栅极结构从器件主体区延伸到器件延伸区中并顶部连接到正面金属层组成的栅极。在第一栅极结构两侧的器件主体区中自对准形成有第一导电类型重掺杂的源漏区，两个源漏区分别连接到源极和漏极。在第一栅极结构两侧的器件延伸区中自对准形成有第二导电类型重掺杂的SOI衬底引出区，SOI衬底引出区连接到SOI衬底电极。本发明能测试MOS晶体管的SOI衬底电流，有利于及时监测工艺偏差、确定最优化的HCI可靠性测试条件。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2722条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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