IP2075_38D至为芯支持C口快充协议的65W功率AC/DC芯片

英集芯IP2075_38D是一款应用于氮化镓充电器、快速充电器、电源适配器的离线式AC/DC一次侧反激控制器。结合频率折返和谷底导通技术，减少开关损耗。宽广的自适应开关频率范围，优化轻负载和满负载效率。通过光耦反馈实现高精度输出电压/电流调节，兼容多种快充协议。内置高压启动电路，省去传统启动电阻，降低待机功耗。轻载或空载时进入突发模式，工作电流低至160µA，满足CoC V5和DoE VI等能效标准。集成氮化镓（GaN）FET，减少外围元件数量，简化电路设计，缩小产品体积。采用DFN18L（6×8）封装，进一步节省PCB空间。

一、高集成度设计，推动产品优化
英集芯IP2075_38D是一款集成GaN FET的高性能多模式AC/DC反激控制器，将多种功能整合于单一芯片之中，实现了较高的集成度。这一设计不仅有效减小了芯片体积，也简化了外围电路，有助于充电器在保持便携性的同时，实现更高的功率密度和稳定的性能。
以氮化镓充电器设计为例，采用双路独立开关电源设计，每路均选用IP2075_38D作为主控芯片。在紧凑结构下实现65W大功率输出，并支持多种快充协议与智能功率分配，在双路独立电源架构下，仍能保持较小的整机尺寸，同时降低设计复杂度和系统成本，有助于提升产品的市场适应性。

二、稳定性能，适配多种场景
1、降低能耗，提升效率
IP2075_38D内置高压启动电路，无需传统启动电阻，从而降低了待机功耗。此外，当交流输入断开时，其HV引脚可用于X电容放电，减少额外损耗，实现较低的待机能耗。该特性有助于充电器满足CoC V5和DoE VI等能效规范要求，在使用中更加节能。
效率方面，芯片结合频率折返与谷底导通技术，减少开关损耗，提升转换效率。同时，内置频率调制功能，有助于降低EMI干扰，改善电磁兼容性。其开关频率可根据负载自适应调整，优化轻载效率，并通过设置最大工作频率控制温升，兼顾满载效率与器件温度。最小峰值电流也经过调整，以平衡待机功耗与音频噪声，提升使用体验。

2、多模式控制，灵活应对不同负载
IP2075_38D支持自适应多模式控制（MMC）与二次侧调节（SSR），能够根据负载变化自动调整工作状态，优化输出性能。这一特性使其可适配多种设备，如笔记本电脑、平板、手机等，满足不同功率需求。
3、多重保护机制，提升安全性
安全性是充电产品的重要考量。IP2075_38D集成了输出过压、输出欠压、欠压/过压保护、过温保护及带补偿的过功率保护等功能。这些机制可在充电过程中实时监测运行状态，遇异常情况时及时响应，减少对设备和用户的影响。

三、应用广泛，逐步获得市场认可
英集芯IP2075_38D凭借其集成度与性能表现，已在多款充电器产品中得到应用，涵盖氮化镓充电器、快速充电器、电源适配器等。这些产品在满足快充需求的同时，体积控制较为出色，便于携带。

四、未来展望，持续优化推动发展
随着移动设备功能不断增强，用户对充电速度与便携性的需求持续提升，氮化镓快充技术正逐步成为市场重要方向。英集芯科技作为该领域的参与者之一，将持续优化IP2075_38D及相关产品的性能与功能，推动技术进步与应用拓展。
未来，IP2075_38D有望在功率密度、能耗控制、兼容性等方面进一步提升，为用户提供更高效、适用的充电方案。同时，英集芯科技将继续拓展合作，推动氮化镓快充技术的普及，助力充电行业持续发展。
英集芯IP2075_38D合封氮化镓芯片以其集成化设计、稳定性能及广泛应用潜力，成为氮化镓快充领域的重要产品之一。它不仅为用户提供快速、安全的充电体验，也为充电器制造商提供了可靠的芯片方案，推动行业不断进步。