北京
国家知识产权局信息显示，三明伊铂信息技术有限公司申请一项名为“一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构”的专利，公开号CN121583739A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明的一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构，属于高频电力电子变换设备制造技术领域，包括：S1、设置支撑底座、磁路闭合单元、多层绕组堆叠体及嵌入其层间中心的磁场补偿层；S2、监测电压与汇总电流相位，根据相位偏离角度评估各支路等效感抗偏差；S3、当某支路电流异常升高，其漏磁通于补偿层感应旋转电流，产生反向涡流补偿磁场，被动增加该支路等效感抗以迫使电流转移；S4、监测磁路单元温升速率，根据相位偏离角计算补偿层磁饱和冗余量，根据此瞬时调整开关频率，利用高频感应增强旋转电流强度以弥补导磁性能缺失。本发明有效缓解了由趋肤效应和邻近效应导致的局部过热现象。
天眼查资料显示，三明伊铂信息技术有限公司，成立于2021年，位于三明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1600万人民币。通过天眼查大数据分析，三明伊铂信息技术有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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