北京
国家知识产权局信息显示，华辰芯光（无锡）半导体有限公司申请一项名为“一种高功率半导体激光器腔面处理装置和方法”的专利，公开号CN121584387A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种高功率半导体激光器腔面处理装置和方法，涉及激光元件制造的技术领域，其包括真空腔体，所述真空腔体内设有用于固定激光器巴条的处理工位，包括等离子幕布发生器、硅离子源发生器、氮气管道，所述硅离子源发生器朝向处理工位，所述等离子幕布发生器位于硅离子源发生器位于处理工位之间，所述等离子幕布发生器为两排阵列的金属针，两排阵列所述的金属针尖部相对设置，相对的所述金属针尖部的连线为等离子核心区，所述等离子核心区周边为幕布区，所述幕布区靠近处理工位，所述氮气管道阵列一排并靠近其中一排金属针，所述氮气管道出气口朝向幕布区，本申请能有效的去除腔面悬挂键，并能形成氮化硅保护层。
天眼查资料显示，华辰芯光（无锡）半导体有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，华辰芯光（无锡）半导体有限公司参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可28个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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