北京
国家知识产权局信息显示，微玖（苏州）光电科技有限公司申请一项名为“一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法”的专利，公开号CN121568481A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种基于离子注入的InGaN全彩Micro‑LED器件制备方法，包括制备红、绿、蓝三色InGaN多量子阱堆叠外延片；通过光刻定义像素图形后，注入特定离子形成高阻绝缘层，实现像素电学隔离；刻蚀深孔暴露各颜色发光层的接触区域；沉积绝缘介质层并回刻，通过物理气相沉积和剥离工艺制备电极并互联；经减薄、切割、封装得到器件；本发明以离子注入替代多次选择性刻蚀，从根本上减少量子阱损伤，简化工艺流程，提升器件发光效率与一致性；深孔垂直电极结构增强接触可靠性，利于高密度集成；器件像素密度可达2000‑5000PPI，良率≥88%，适用于VR/AR、高清显示等场景，具有重要应用价值。
天眼查资料显示，微玖（苏州）光电科技有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本537.9214万人民币。通过天眼查大数据分析，微玖（苏州）光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息33条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
