北京
国家知识产权局信息显示，国巨电子（中国）有限公司申请一项名为“一种新型抗锡裂的贴片电阻及其制作工艺”的专利，公开号CN121565605A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种新型抗锡裂的贴片电阻及其制作工艺，包括基板，基板正面与背面分别覆盖的正面电极和背面电极，以及外侧包裹的保护层和电镀层，电阻层设置于所述正面电极与保护层之间，其特征在于：所述背面电极下方设置有导体层，所述导体层的尺寸小于所述背面电极的尺寸，使得包裹背面电极外的所述电镀层与焊盘底板形成30～60度的斜面夹角，其制作工艺在于：在背面电极上印刷导体层，导体层靠近外侧的一边与基板外侧边平齐，内侧一边收缩在背面电极内侧，形成高度差阶梯。本发明通过导体层的设置，在电阻背导与锡膏的接触面由平面变为立体曲面，有效面积提升；增大的接触面为焊料提供多通道流动路径，降低了气泡率，有效提升抗锡裂能力。
天眼查资料显示，国巨电子（中国）有限公司，成立于1996年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30197.7万美元。通过天眼查大数据分析，国巨电子（中国）有限公司参与招投标项目43次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可33个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
