EUV光刻机，迎来重大突破！

2026年2月24日，一则来自《路透社》及全球多家科技媒体的重磅报道，再次让全球半导体产业的目光聚焦于荷兰巨头 ASML（阿斯麦）。这家公司宣布，在极紫外光刻机（EUV光刻机）的核心技术——光源功率方面取得了实质性突破，有望在2030年前大幅提升芯片制造产能。

这看似专业的技术进步，其背后蕴藏着支撑智能时代的产业底层力量；它不仅为芯片制造带来效率革命，也将重塑全球科技竞争格局。

极紫外光刻机（EUV，Extreme Ultraviolet Lithography）是当前全球最先进的芯片制造设备，用于在硅片上“印制”纳米级电路图案。它使用波长约 13.5纳米 的极短波长光源，使得线宽能精确到极微米以下，是制造 7nm、5nm、3nm 等先进工艺芯片的核心装备。

作为全球唯一量产EUV设备供应商，ASML 的光刻机是 台积电（TSMC）、英特尔（Intel）、三星 等全球领先芯片代工厂不可或缺的核心设备。其性能与产能，直接决定了先进芯片的制造节奏和成本结构。

2026年2月，ASML透露其研究团队发现了一种能将EUV光刻机光源功率从 约600瓦 提升至 1000瓦（1千瓦） 的技术方案。与现有系统相比，这一提升幅度非常显著。

ASML技术负责人 Michael Purvis 表示，这并不是实验室短暂亮相的演示，而是在“满足客户真实生产需求”条件下能稳定工作的系统。

EUV光刻机的“心脏”就是光源。它的作用是发出能够穿透光刻掩模并精确刻画晶圆上电路图案的短波光。

而功率越高，意味着：光照更强 → 能以更快速度曝光晶圆上的电路图案；曝光时间更短 → 每小时可处理更多晶圆；产能显著提升 → 直接推动芯片制造效率提升；单位成本下降 → 没有增加新装备前提下提升产出。

根据ASML预测，光源提高至 1000W后，到2030年这种新一代EUV光刻机每小时晶圆处理能力预计可从约 220片提升至330片，提升幅度约 50%。

EUV光刻机的光源不是普通灯光，而是通过高功率激光打击高速喷射的 锡液滴（Tin droplets），使其转变成等离子体并发出极紫外光。

要提高输出功率，工程师们需要：大幅增加锡液滴喷射频率 —— 目前目标约每秒 100,000 个滴球；改进激光脉冲方式 —— 拆分为两个预处理激光与一个主激光脉冲，提高能量转换效率；优化光学传输系统 —— 确保更多光能有效聚焦到硅片曝光上；控制高能等离子体的稳定性 —— 防止过热与系统损耗。

这些技术改进意味着，光源不只是更强，也更稳定、更可靠，更能满足工业量产环境的要求。

芯片制造是资本密集型产业。提高现有设备产能，等同于“花同样的钱，产出更多芯片”。这在全球芯片供给吃紧、市场需求爆发的背景下尤为重要。

随着人工智能、自动驾驶、云计算等科技应用需求飙升，对高性能芯片的需求不断增长。EUV光刻机提速将缓解晶圆厂的产能瓶颈，有助于全球供应链更快响应市场需求。

在EUV技术领域，ASML已经形成了难以逾越的技术与产业壁垒。这次突破进一步拉开了与潜在竞争对手的差距，使得挑战者（包括美国和中国的光源研发团队）更难追赶。

ASML自身表示，这只是迈向更高阶光源功率（如1500瓦、甚至2000瓦）的第一步。更高功率意味着未来产能潜力更大，这将进一步推动先进制造技术的发展。

此次 ASML将EUV光源推升至1000瓦 的突破，是芯片制造领域十年来最具意义的技术进步之一。它不仅代表了光刻技术的持续迭代，也标志着半导体制造效率未来可持续提升的可能性。

可以预计，在未来几年里，这一技术将加速商业化落地，并成为芯片制造新一轮升级的重要驱动力。

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