国家知识产权局信息显示,苏州晶歌半导体有限公司申请一项名为“MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料”的专利,公开号CN121556135A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明公开了一种MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料。所述方法包括:在生长所述外延材料的过程中,不同时通入Al源和Sb源。本发明至少具有以下优点之一:一、采用循环分段式间隔通入Al与Sb的方法,有效避免了Al与Sb的预反应,可以生长出高Sb组分的含Al和Sb的外延材料;二、合理科学地设计了循环分段式通入方法中分段通入的第一时长、第二时长,间隔的第三时长,以及总时长,使得能够生长出高质量的含Al和Sb的外延材料。
天眼查资料显示,苏州晶歌半导体有限公司,成立于2020年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1355.6444万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州晶歌半导体有限公司参与招投标项目9次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息39条,此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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