北京
国家知识产权局信息显示，苏州晶歌半导体有限公司申请一项名为“MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料”的专利，公开号CN121556135A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料。所述方法包括：在生长所述外延材料的过程中，不同时通入Al源和Sb源。本发明至少具有以下优点之一：一、采用循环分段式间隔通入Al与Sb的方法，有效避免了Al与Sb的预反应，可以生长出高Sb组分的含Al和Sb的外延材料；二、合理科学地设计了循环分段式通入方法中分段通入的第一时长、第二时长，间隔的第三时长，以及总时长，使得能够生长出高质量的含Al和Sb的外延材料。
天眼查资料显示，苏州晶歌半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1355.6444万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶歌半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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